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参数资料
| 型号： | HY27SA081G1M-VPEB |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, WSOP1-48 |
| 文件页数： | 34/45页 |
| 文件大小： | 675K |
| 代理商： | HY27SA081G1M-VPEB |
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Rev 0.3 / May. 2004
4
Preliminary
HY27UA(08/16)1G1M Series
HY27SA(08/16)1G1M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
I/O8-15
Data Input/Outputs for x16 Device
I/O0-7
Data Input/Output, Address Inputs, or Com-
mand Inputs for x8 and x16 device
ALE
Address Latch Enable
CLE
Command Latch Enable
CE
Chip Enable
RE
Read Enable
RB
Read/Busy (open-drain output)
WE
Write Enable
WP
Write Protect
VCC
Supply Voltage
VSS
Ground
NC
Not Connected Internally
DU
Do Not Use
Table 1: Signal Name
Figure 1: Logic Diagram
Figure 2. LOGIC BLOCK DIAGRAM
NAND
Flash
Vcc
Vss
ALE
CLE
CE
RE
WE
WP
I/O8-I/O15, x16
I/O0-I/O7, x8/x16
RB
I/O Buffers &
Latches
Page Buffer
Cache Register
Y Decoder
NAND Flash
Memory Array
Address
Register/Counter
Command
Interface
Logic
Command Register
P/E/R
Controller,
High Voltage
Generator
X
De
co
de
r
ALE
CLE
WE
CE
WP
RE
I/O0-I/O7, x8/x16
I/O8-I/O15, x16
RB
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27UA081G1M-TIB | 128M X 8 FLASH 3.3V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
| HY27US08121B-TPIS | 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PDSO48 |
| HY27US08121B-FIB | 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PBGA63 |
| HY27US081G1MSES | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY27US081G1MTCS | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HY27SA161G1M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27SA1G1M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27SAXXX | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27SF081G2A | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash |
| HY27SF081G2A-F(P) | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
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