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参数资料
| 型号： | HY27SA081G1M-VPEB |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, WSOP1-48 |
| 文件页数： | 40/45页 |
| 文件大小： | 675K |
| 代理商： | HY27SA081G1M-VPEB |
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Rev 0.3 / May. 2004
46
Preliminary
HY27UA(08/16)1G1M Series
HY27SA(08/16)1G1M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
MARKING INFORMATION
Packag
Marking Example
TSOP1
/
WSOP1
/
FBGA
K
O
R
H
Y
2
7
x
A
x
1
G
1
M
x
Y
W
x
- hynix
- KOR
- HY27xAxx121mTxB
HY: HYNIX
27: NAND Flash
x: Power Supply
A: Classification
xx: Bit Organization
1G: Density
1: Mode
M: Version
x: Package Type
x: Package Material
x: Operating Temperature
x: Bad Block
- Y: Year (ex: 4=year 2004, 05= year 2005)
- ww: Work Week (ex: 12= work week 12)
- xx: Process Code
Note
- Capital Letter
- Small Letter
: Hynix Symbol
: Origin Country
: U(2.7V~3.6V), S(1.7V~2.2V)
: Single Level Cell+Double Die
: 08(x8), 16(x16)
: 1Gb
: 1nCE & 1R/nB; CE don't care
: 1st Generation
: T(TSOP1), V(WSOP1), F(FBGA)
: Blank(Normal), P(Lead Free)
: C(0℃~70℃), E(-25℃~85℃)
I(-40℃~85℃)
: B(Included Bad Block), S(1~5 Bad Block),
P(All Good Block)
: Fixed Item
: Non-fixed Item
: Part Number
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27UA081G1M-TIB | 128M X 8 FLASH 3.3V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
| HY27US08121B-TPIS | 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PDSO48 |
| HY27US08121B-FIB | 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PBGA63 |
| HY27US081G1MSES | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY27US081G1MTCS | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HY27SA161G1M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27SA1G1M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27SAXXX | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27SF081G2A | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash |
| HY27SF081G2A-F(P) | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
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