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参数资料
| 型号： | MT28C3224P20 |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | FLASH AND SRAM COMBO MEMORY |
| 中文描述： | 闪存和SRAM式内存 |
| 文件页数： | 30/42页 |
| 文件大小： | 498K |
| 代理商： | MT28C3224P20 |
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F
30
2 Meg x 16 Page Flash 256K x 16 SRAM Combo Memory
MT28C3224P20_3.p65 – Rev. 3, Pub. 7/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
2 MEG x 16 PAGE FLASH
256K x 16 SRAM COMBO MEMORY
ADVANCE
TWO-CYCLE PROGRAMMING/ERASE OPERATION
VALID ADDRESS
VALID ADDRESS
VALID ADDRESS
UNDEFINED
t
CH
t
DH
t
RHS
t
DS
A0–A20
OE#
CE#
WE#
V
PP
RST#
WP#
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IPPLK
V
IL
V
IPPH
t
AS
t
AH
t
WPH
t
RS
t
WP
t
WOS
t
CS
t
WB
CMD
CMD/
DATA
DQ0–DQ15
V
OH
V
OL
t
RHH
t
VPS
t
VPPH
STATUS
High-Z
NOTE:
1. The WRITE cycles for the WORD PROGRAMMING command are followed by a READ ARRAY DATA cycle.
-80/-85
SYMBOL
t
AH
t
RHS
t
VPS
t
WOS
t
RHH
t
VPPH
t
WB
MIN
1.5
0
200
50
0
0
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
WRITE TIMING PARAMETERS
-80/-85
SYMBOL
t
RS
t
CS
t
WP
t
DS
t
AS
t
CH
t
DH
MIN
150
0
50
50
50
0
0
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AA+50
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT28F200B3 | FLASH MEMORY |
| MT28F200B5 | FLASH MEMORY |
| MT28F320A18 | FLASH MEMORY |
| MT2D18 | 1 Meg x 8 DRAM Module(5V，1M x 8 动态RAM模块) |
| MT46V16M4 | 4 Meg x 4 x 4 banks DDR SDRAM(4 M x 4 x 4组，双数据速率同步动态RAM) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT28C3224P20FL-80 BET | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT28C3224P20FL-80 BET TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT28C6428P18 | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:FLASH AND SRAM COMBO MEMORY |
| MT28C6428P18FM-85 BET | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT28C6428P18FM-85 BET TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
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