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参数资料
| 型号： | MT28C3224P20 |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | FLASH AND SRAM COMBO MEMORY |
| 中文描述： | 闪存和SRAM式内存 |
| 文件页数： | 6/42页 |
| 文件大小： | 498K |
| 代理商： | MT28C3224P20 |
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6
2 Meg x 16 Page Flash 256K x 16 SRAM Combo Memory
MT28C3224P20_3.p65 – Rev. 3, Pub. 7/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
2 MEG x 16 PAGE FLASH
256K x 16 SRAM COMBO MEMORY
ADVANCE
BALL DESCRIPTIONS (continued)
66-BALL FBGA
NUMBERS
E4
SYMBOL
F_V
PP
TYPE
Input/
Supply
DESCRIPTION
Flash Program/Erase Power Supply: [0.9V–2.2V or 11.4V–12.6V].
Operates as input at logic levels to control complete device protection.
Provides backward compatibility for factory programming when driven
to 11.4V–12.6V. A lower F_V
PP
voltage range (0.0V–2.2V) is available.
Contact factory for more information.
Flash Power Supply: [1.70V–1.90V or 1.80V–2.20V]. Supplies power for
device operation.
Flash Specific Ground: Do not float any ground pin.
SRAM Power Supply: [1.70V–1.90V or 1.80V–2.20V]. Supplies power for
device operation.
SRAM Specific Ground: Do not float any ground pin.
I/O Power Supply: [1.70–1.90V or 1.80V–2.20V].
No Connect: Lead is not internally connected; it may be driven or
floated.
D10, H3
F_V
CC
Supply
A9, H8
D9
F_V
SS
S_V
CC
Supply
Supply
D3
A10
S_V
SS
V
CC
Q
NC
Supply
Supply
–
A1, A2, A11,
A12, C4, H1,
H2, H10, H11,
H12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT28F200B3 | FLASH MEMORY |
| MT28F200B5 | FLASH MEMORY |
| MT28F320A18 | FLASH MEMORY |
| MT2D18 | 1 Meg x 8 DRAM Module(5V，1M x 8 动态RAM模块) |
| MT46V16M4 | 4 Meg x 4 x 4 banks DDR SDRAM(4 M x 4 x 4组，双数据速率同步动态RAM) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT28C3224P20FL-80 BET | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT28C3224P20FL-80 BET TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT28C6428P18 | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:FLASH AND SRAM COMBO MEMORY |
| MT28C6428P18FM-85 BET | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT28C6428P18FM-85 BET TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
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