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参数资料
| 型号： | MT46V32M16TG-75ELIT |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 16 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封装： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-66 |
| 文件页数： | 31/82页 |
| 文件大小： | 2855K |
| 代理商： | MT46V32M16TG-75ELIT |
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512Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
09005aef80a1d9e7
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
512MBDDRx4x8x16_2.fm - Rev. H 7/04 EN
37
2000 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 28: WRITE to PRECHARGE – Uninterrupting
NOTE:
1. DI b = data-in for column b.
2. Three subsequent elements of data-in are applied in the programmed order following DI b.
3. An uninterrupted burst of 4 is shown.
4. tWR is referenced from the first positive CK edge after the last data-in pair.
5. The PRECHARGE and WRITE commands are to the same device. However, the PRECHARGE and WRITE commands may be
to different devices, in which case tWR is not required and the PRECHARGE command could be applied earlier.
6. A10 is LOW with the WRITE command (auto precharge is disabled).
7. PRE = PRECHARGE command.
tDQSS (NOM)
CK
CK#
COMMAND
WRITE
NOP
PRE7
NOP
ADDRESS
Bank a,
Col b
Bank,
(a or all)
NOP
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
T1n
T6
tWR
tRP
DQ
DQS
DM
DI
b
tDQSS (MIN)
DQ
DQS
DM
DI
b
tDQSS (MAX)
DQ
DQS
DM
DI
b
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
tDQSS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46V32M16BN-5BLIT | 32M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT46V32M16TG-75L | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| MT46V32M16TG-75Z | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| MT46V32M16TG-75ZL | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
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