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参数资料
| 型号： | MT46V32M16TG-75ELIT |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 16 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封装： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-66 |
| 文件页数： | 64/82页 |
| 文件大小： | 2855K |
| 代理商： | MT46V32M16TG-75ELIT |
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512Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
09005aef80a1d9e7
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
512MBDDRx4x8x16_2.fm - Rev. H 7/04 EN
67
2000 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 40: x4, x8 Data Output Timing – tDQSQ, tQH, and Data Valid Window
NOTE:
1. DQ transitioning after DQS transition define tDQSQ window. DQS transitions at T2 and at T2n are an “early DQS,” at T3
is a “nominal DQS,” and at T3n is a “late DQS.”
2. For a x4, only two DQ apply.
3. tDQSQ is derived at each DQS clock edge and is not cumulative over time and begins with DQS transition and ends with
the last valid DQ transition.
4. tQH is derived from tHP: tQH = tHP - tQHS.
5. tHP is the lesser of tCL or tCH clock transition collectively when a bank is active.
6. The data valid window is derived for each DQS transitions and is defined as tQH minus tDQSQ.
DQ (Last data valid)
DQ2
DQS1
DQ (Last data valid)
DQ (First data no longer valid)
All DQ and DQS, collectively6
Earliest signal transition
Latest signal transition
T2
T2n
T3
T3n
CK
CK#
T1
T2
T3
T4
T2n
T3n
tQH4
tHP5
tQH4
tHP5
tQH4
tDQSQ3
Data
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window
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT46V32M16TG-75L | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
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| MT46V32M16TG-75ZL | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
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