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参数资料
| 型号： | MT46V32M81AZ4-6T:G |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封装： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-66 |
| 文件页数： | 43/82页 |
| 文件大小： | 2866K |
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128Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
09005aef8074a655
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128MBDDRx4x8x16_2.fm - Rev. J 7/04 EN
48
2000 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 33: Input Voltage Waveform
Table 13:
AC Input Operating Conditions
0°C
≤ T
A ≤ +70°C; VDDQ = VDD = +2.5V ±0.2V (VDDQ = VDD = +2.6V ±0.1V for DDR400)
Notes: 1–5, 16, notes appear on page 61-64
PARAMETER/CONDITION
SYMBOL
MIN
MAX
UNITS
NOTES
Input High (Logic 1) Voltage
VIH(AC)VREF + 0.310
-
V
Input Low (Logic 0) Voltage
VIL(AC)
-
VREF - 0.310
V
I/O Reference Voltage
VREF(AC)
0.49 x VDDQ
0.51 x VDDQ
0.940V
1.100V
1.200V
1.225V
1.250V
1.275V
1.300V
1.400V
1.560V
VILAC
VILDC
VREF -AC Noise
VREF -DC Error
VREF +DC Error
VREF +AC Noise
Receiver
Transmitter
VIHDC
VIHAC
VOH(MIN) (1.670V
1
for SSTL2 termination)
VINAC - Provides margin
between VOL (MAX) and VILAC
VSSQ
VDDQ (2.3V minimum)
VOL (MAX) (0.83V
2
for
SSTL2 termination)
System Noise Margin (Power/Ground,
Crosstalk, Signal Integrity Attenuation)
NOTE: 1. VOH (MIN) with test load is 1.927V
2. VOL (MAX) with test load is 0.373V
3. For non-DDR400 devices, numbers in
diagram reflect nomimal values utilizing
circuit below.
Reference
Point
25
25
VTT
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT46V32M82ZZ5-75 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32MX8 SDRAM DDR PLASTIC PBF FBGA 2.5V - Trays |
| MT46V32M82ZZ5-75EZ | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32MX8 DDR SDRAM PLASTIC 2.5V - Trays |
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