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参数资料
| 型号： | MT46V32M8FG-6TIT:G |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
| 封装： | (8 X 14) MM, PLASTIC, FBGA-60 |
| 文件页数： | 12/93页 |
| 文件大小： | 3632K |
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PDF: 09005aef80768abb/Source: 09005aef82a95a3a
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
256Mb_DDR_x4x8x16_D1.fm - 256Mb DDR: Rev. O, Core DDR: Rev. B 1/09 EN
2
2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
256Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
Features
Notes:
1. The -5B device is backward compatible with all slower speed grades. The voltage range of
-5B device operating at slower speed grades is VDD = VDDQ = 2.5V ± 0.2V.
Table 1:
Key Timing Parameters
CL = CAS (READ) latency; MIN clock rate with 50% duty cycle at CL = 2 (-75E, -75Z), CL = 2.5 (-6, -6T, -75), and
CL = 3 (-5B)
Speed Grade
Clock Rate (MHz)
Data-Out Window Access Window DQS–DQ Skew
CL = 2
CL = 2.5
CL = 3
-5B
133
167
200
1.6ns
±0.70ns
+0.40ns
-6
133
167
n/a
2.1ns
±0.70ns
+0.40ns
6T
133
167
n/a
2.0ns
±0.70ns
+0.45ns
-75E/-75Z
133
n/a
2.5ns
±0.75ns
+0.50ns
-75
100
133
n/a
2.5ns
±0.75ns
+0.50ns
Table 2:
Addressing
Parameter
64 Meg x 4
32 Meg x 8
16 Meg x 16
Configuration
16 Meg x 4 x 4 banks
8 Meg x 8 x 4 banks
4 Meg x 16 x 4 banks
Refresh count
8K
Row address
8K (A0–A12)
Bank address
4 (BA0, BA1)
Column address
2K (A0–A9, A11)
1K (A0–A9)
512 (A0–A8)
Table 3:
Speed Grade Compatibility
Marking
PC3200 (3-3-3) PC2700 (2.5-3-3) PC2100 (2-2-2) PC2100 (2-3-3) PC2100 (2.5-3-3) PC1600(2-2-2)
-5B1
Yes
-6
–
Yes
-6T
–
Yes
-75E
–
Yes
-75Z
–
Yes
-75
––
–
Yes
-5B
-6/-6T
-75E
-75Z
-75
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46V32M8BG-6AT:G | 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
| M29F800FB55N3E2 | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO48 |
| MC12L1NZGF | ROTARY SWITCH-12POSITIONS, SP12T, LATCHED, 0.25A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| MD00S1NCQF | ROTARY SWITCH-6POSITIONS, DP6T, LATCHED, 0.25A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| MD06L1NZGD | ROTARY SWITCH-6POSITIONS, DP6T, LATCHED, 0.25A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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