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参数资料
| 型号： | MT46V32M8FG-6TIT:G |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
| 封装： | (8 X 14) MM, PLASTIC, FBGA-60 |
| 文件页数： | 82/93页 |
| 文件大小： | 3632K |
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PDF: 09005aef80768abb/Source: 09005aef82a95a3a
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
DDR_x4x8x16_Core2.fm - 256Mb DDR: Rev. O, Core DDR: Rev. B 1/09 EN
81
2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
256Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
Operations
Figure 46:
WRITE-to-PRECHARGE – Interrupting
Notes:
1. DI b = data-in for column b.
2. Subsequent element of data-in is applied in the programmed order following DI b.
3. An interrupted burst of 8 is shown; two data elements are written.
4. tWR is referenced from the first positive CK edge after the last data-in pair.
5. A10 is LOW with the WRITE command (auto precharge is disabled).
6. DQS is required at T4 and T4n (nominal case) to register DM.
7. If the burst of 4 is used, DQS and DM are not required at T3, T3n, T4, and T4n.
tDQSS
tDQSS (NOM)
CK
CK#
Command
WRITE
NOP
Address
Bank a,
Col b
Bank,
(a or all)
NOP
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
T1n
T6
tWR
tRP
DQ
DQS
DM
DI
b
tDQSS
tDQSS (MIN)
DQ
DQS
DM
DI
b
tDQSS
tDQSS (MAX)
DQ
DQS
DM
DI
b
Don’t Care
Transitioning Data
T3n
T4n
PRE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46V32M8BG-6AT:G | 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
| M29F800FB55N3E2 | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO48 |
| MC12L1NZGF | ROTARY SWITCH-12POSITIONS, SP12T, LATCHED, 0.25A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| MD00S1NCQF | ROTARY SWITCH-6POSITIONS, DP6T, LATCHED, 0.25A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| MD06L1NZGD | ROTARY SWITCH-6POSITIONS, DP6T, LATCHED, 0.25A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
相关代理商/技术参数 |
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