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参数资料
| 型号： | MT46V32M8FG-6TIT:G |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
| 封装： | (8 X 14) MM, PLASTIC, FBGA-60 |
| 文件页数： | 87/93页 |
| 文件大小： | 3632K |
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PDF: 09005aef80768abb/Source: 09005aef82a95a3a
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
DDR_x4x8x16_Core2.fm - 256Mb DDR: Rev. O, Core DDR: Rev. B 1/09 EN
86
2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
256Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
Operations
Figure 51:
Bank READ – with Auto Precharge
Notes:
1. NOP commands are shown for ease of illustration; other commands may be valid at these
times.
2. BL = 4.
3. The READ command can only be applied at T3 if tRAP is satisfied at T3.
4. Enable auto precharge.
5. tRP starts only after tRAS has been satisfied.
6. DO n = data-out from column n; subsequent elements are provided in the programmed
order.
DQS and DQ timing.
NOP
1
NOP
1
NOP
1
NOP
1
NOP
1
NOP
1
READ
2,3
4
tRCD, tRAP3
DQ
6
DQ
6
Command
tRP5
Address
tLZ (MIN)
Row
CK
CK#
CKE
A10
BA0, BA1
tCK
tCH
tCL
tIS
tIH
tIS
tIH
IS
IH
tRC
CL = 2
DM
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T5n
T6n
T6
T7
T8
DQS
Case 1: tAC (MIN) and tDQSCK (MIN)
Case 2: tAC (MAX) and tDQSCK (MAX)
DQS
tRPRE
tRPST
tDQSCK (MIN)
tDQSCK (MAX)
tAC (MIN)
tLZ (MIN)
DO
n
tHZ (MAX)
tAC (MAX)
DO
n
ACT
Col n
Bank x
ACT
Bank x
tRAS
Don’t Care
Transitioning Data
tRPST
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46V32M8BG-6AT:G | 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
| M29F800FB55N3E2 | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO48 |
| MC12L1NZGF | ROTARY SWITCH-12POSITIONS, SP12T, LATCHED, 0.25A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| MD00S1NCQF | ROTARY SWITCH-6POSITIONS, DP6T, LATCHED, 0.25A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| MD06L1NZGD | ROTARY SWITCH-6POSITIONS, DP6T, LATCHED, 0.25A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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