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参数资料
| 型号： | MT46V32M8FG-6TIT:G |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
| 封装： | (8 X 14) MM, PLASTIC, FBGA-60 |
| 文件页数： | 74/93页 |
| 文件大小： | 3632K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页当前第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页
PDF: 09005aef80768abb/Source: 09005aef82a95a3a
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
DDR_x4x8x16_Core2.fm - 256Mb DDR: Rev. O, Core DDR: Rev. B 1/09 EN
74
2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
256Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
Operations
Figure 38:
WRITE Burst
Notes:
1. DI b = data-in for column b.
2. Three subsequent elements of data-in are applied in the programmed order following DI b.
3. An uninterrupted burst of 4 is shown.
4. A10 is LOW with the WRITE command (auto precharge is disabled).
DQS
tDQSS (MAX)
tDQSS (NOM)
tDQSS (MIN)
tDQSS
DM
DQ
CK
CK#
Command
WRITE
NOP
Address
Bank a,
Col b
NOP
T0
T1
T2
T3
T2n
DQS
tDQSS
DM
DQ
DQS
DM
DQ
DI
b
DI
b
DI
b
Don’t Care
Transitioning Data
tDQSS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46V32M8BG-6AT:G | 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
| M29F800FB55N3E2 | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO48 |
| MC12L1NZGF | ROTARY SWITCH-12POSITIONS, SP12T, LATCHED, 0.25A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| MD00S1NCQF | ROTARY SWITCH-6POSITIONS, DP6T, LATCHED, 0.25A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| MD06L1NZGD | ROTARY SWITCH-6POSITIONS, DP6T, LATCHED, 0.25A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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