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参数资料
| 型号： | MT46V64M4 |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 16 Meg x 4 x 4 banks DDR SDRAM(16M x 4 x 4组,双数据速率同步动态RAM) |
| 中文描述： | 16梅格× 4 × 4银行DDR SDRAM内存（1,600 × 4 × 4组，双数据速率同步动态RAM）的 |
| 文件页数： | 38/69页 |
| 文件大小： | 2410K |
| 代理商： | MT46V64M4 |
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38
256Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
256Mx4x8x16DDR_B.p65
–
Rev. B; Pub. 7/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
256Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
ADVANCE
TRUTH TABLE 2 – CKE
(Notes: 1-4)
CKE
n-1
CKE
n
L
CURRENT STATE
Power-Down
Self Refresh
Power-Down
Self Refresh
All Banks Idle
Bank(s) Active
All Banks Idle
COMMA ND
n
X
X
DESELECT or NOP
DESELECT or NOP
DESELECT or NOP
DESELECT or NOP
AUTO REFRESH
See Truth Table 3
A CTION
n
Maintain Power-Down
Maintain Self Refresh
Exit Power-Down
Exit Self Refresh
Precharge Power-Down Entry
Active Power-Down Entry
Self Refresh Entry
NOTES
L
L
H
5
H
L
H
H
NOTE:
1. CKE
n
is the logic state of CKE at clock edge
n
; CKE
n-1
was the state of CKE at the previous clock edge.
2. Current state is the state of the DDR SDRAM immediately prior to clock edge
n
.
3. COMMAND
is the command registered at clock edge
n
, and ACTION
n
is a result of COMMAND
n
.
4. All states and sequences not shown are illegal or reserved.
5. DESELECT or NOP commands should be issued on any clock edges occurring during the
t
XSR period. A minimum of 200
clock cycles is needed before applying a READ command for the DLL to lock.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46V64M8 | 16 Meg x 8 x 4 banks DDR SDRAM(16M x 8 x 4组,双数据速率同步动态RAM) |
| MT48LC16M8A1TG | SYNCHRONOUS DRAM |
| MT48LC32M4A1 | ECONOLINE: RSZ/P - 1kVDC |
| MT48LC32M4A2 | SYNCHRONOUS DRAM |
| MT48LC32M4A1TG | SYNCHRONOUS DRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT46V64M4_1 | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:Double Data Rate (DDR) SDRAM |
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