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参数资料
| 型号： | MT46V64M4 |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 16 Meg x 4 x 4 banks DDR SDRAM(16M x 4 x 4组,双数据速率同步动态RAM) |
| 中文描述： | 16梅格× 4 × 4银行DDR SDRAM内存（1,600 × 4 × 4组，双数据速率同步动态RAM）的 |
| 文件页数： | 59/69页 |
| 文件大小： | 2410K |
| 代理商： | MT46V64M4 |
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59
256Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
256Mx4x8x16DDR_B.p65
–
Rev. B; Pub. 7/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
256Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
ADVANCE
Figure 30
Input Voltage Waveform
0.940V
V
IN
AC - Provides margin
between
V
OL
(MAX)
and
V
ILAC
1.100V
1.200V
1.225V
1.250V
1.275V
1.300V
1.400V
1.560V
V
IL
AC
V
IL
DC
V
REF
-AC Noise
V
REF
-DC Error
V
REF
+DC Error
V
REF
+AC Noise
V
IH
DC
V
IH
AC
V
OH(MIN)
(1.670V
1
for SSTL2 termination)
V
SS
Q
V
DD
Q (2.3V minimum)
V
OL
(MAX) (0.83V
2
for
SSTL2 termination)
System Noise Margin (Power/Ground,
Crosstalk, Signal Integrity Attenuation)
NOTE:
1. V
OH
(MIN) with test load is 1.927V
2. V
OL
(MAX) with test load is 0.373V
3. Numbers in diagram reflect nomimal
values utilizing circuit below.
Reference
Point
25
25
V
TT
Transmitter
Receiver
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46V64M8 | 16 Meg x 8 x 4 banks DDR SDRAM(16M x 8 x 4组,双数据速率同步动态RAM) |
| MT48LC16M8A1TG | SYNCHRONOUS DRAM |
| MT48LC32M4A1 | ECONOLINE: RSZ/P - 1kVDC |
| MT48LC32M4A2 | SYNCHRONOUS DRAM |
| MT48LC32M4A1TG | SYNCHRONOUS DRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT46V64M4_1 | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:Double Data Rate (DDR) SDRAM |
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