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参数资料
型号： NAND01GW3B2AN6F
厂商： NUMONYX
元件分类： PROM
英文描述： 128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48
封装： 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
文件页数： 39/64页
文件大小： 632K
代理商： NAND01GW3B2AN6F
Program and Erase Times and Endurance cycles
NAND01G-B, NAND02G-B
44/64
9
Program and Erase Times and Endurance cycles
The Program and Erase times and the number of Program/ Erase cycles per block are
shown in Table 18.
Table 18.
Program, Erase Times and Program Erase Endurance Cycles
Parameters
NAND Flash
Unit
Min
Typ
Max
Page Program Time
300
700
s
Block Erase Time
2
3ms
Program/Erase Cycles (per block)
100,000
cycles
Data Retention
10
years
相关PDF资料
PDF描述
NAND08GW3B2CZC1 1G X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND01GR3B3CZA1 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND02GR4B2BZB1 128M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
NCH030A3-FREQ-OUT27 CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1 MHz - 4 MHz, HCMOS OUTPUT
NTHA3JAA3-FREQ-OUT27 CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1 MHz - 4 MHz, HCMOS OUTPUT
相关代理商/技术参数
参数描述
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NAND01GW3B2AZA1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GW3B2AZA6 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GW3B2AZA6E 功能描述:闪存 NAND MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
NAND01GW3B2AZA6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3.3V 1GBIT 128MX8 25US 63VFBGA - Tape and Reel
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