型号: | NAND01GW3B2AN6F |
厂商: | NUMONYX |
元件分类: | PROM |
英文描述: | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
封装: | 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48 |
文件页数: | 7/64页 |
文件大小: | 632K |
代理商: | NAND01GW3B2AN6F |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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NAND08GW3B2CZC1 | 1G X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
NAND01GR3B3CZA1 | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
NAND02GR4B2BZB1 | 128M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
NCH030A3-FREQ-OUT27 | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1 MHz - 4 MHz, HCMOS OUTPUT |
NTHA3JAA3-FREQ-OUT27 | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1 MHz - 4 MHz, HCMOS OUTPUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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NAND01GW3B2AN6T | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
NAND01GW3B2AZA1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
NAND01GW3B2AZA6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
NAND01GW3B2AZA6E | 功能描述:闪存 NAND MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
NAND01GW3B2AZA6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3.3V 1GBIT 128MX8 25US 63VFBGA - Tape and Reel |