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参数资料
型号： NAND01GW3B2AN6F
厂商： NUMONYX
元件分类： PROM
英文描述： 128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48
封装： 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
文件页数： 4/64页
文件大小： 632K
代理商： NAND01GW3B2AN6F
Summary description
NAND01G-B, NAND02G-B
12/64
Figure 3.
TSOP48 Connections, x8 devices
I/O3
I/O2
I/O6
R
RB
NC
I/O4
I/O7
AI11750
NAND Flash
(x8)
12
1
13
24
25
36
37
48
E
I/O1
NC
WP
W
NC
VSS
VDD
AL
NC
CL
NC
I/O5
NC
I/O0
NC
PRL
VDD
NC
VSS
NC
相关PDF资料
PDF描述
NAND08GW3B2CZC1 1G X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND01GR3B3CZA1 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND02GR4B2BZB1 128M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
NCH030A3-FREQ-OUT27 CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1 MHz - 4 MHz, HCMOS OUTPUT
NTHA3JAA3-FREQ-OUT27 CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1 MHz - 4 MHz, HCMOS OUTPUT
相关代理商/技术参数
参数描述
NAND01GW3B2AN6T 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
NAND01GW3B2AZA1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GW3B2AZA6 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GW3B2AZA6E 功能描述:闪存 NAND MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
NAND01GW3B2AZA6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3.3V 1GBIT 128MX8 25US 63VFBGA - Tape and Reel
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