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参数资料
| 型号： | NAND01GW3B2AN6F |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 64/64页 |
| 文件大小： | 632K |
| 代理商： | NAND01GW3B2AN6F |
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NAND01G-B, NAND02G-B
Summary description
9/64
JEDEC Standard JESD97. The maximum ratings related to soldering conditions are also
marked on the inner box label. ECOPACK is an ST trademark.
For information on how to order these options refer to Table 29: Ordering Information
Scheme. Devices are shipped from the factory with Block 0 always valid and the memory
content bits, in valid blocks, erased to ’1’.
See Table 2: Product Description, for all the devices available in the family.
Table 2.
Product Description(1)
Reference
Part Number
Density
Bus
Width
Page
Size
Block
Size
Memory
Array
Operating
Voltage
Timings
Packages
Random
access
time
(max)
Sequential
access
time
(min)
Page
Program
time
(typ)
Block
Erase
(typ)
NAND01G
-B
NAND01GR3B
1Gbit
x8
2048+
64
Bytes
128K+
4K
Bytes
64
Pages x
1024
Blocks
1.7 to
1.95V
25s
60ns
300s
2ms
TSOP48
VFBGA63
NAND01GW3B
2.7 to
3.6V
25s
50ns
300s
NAND01GR4B
x16(2)
1024+
32
Words
64K+
2K
Words
1.7 to
1.95V
25s
60ns
300s
NAND01GW4B
2.7 to
3.6V
25s
50ns
300s
NAND02G
-B
NAND02GR3B
2Gbit
x8
2048+
64
Bytes
128K+
4K
Bytes
64
Pages x
2048
Blocks
1.7 to
1.95V
25s
60ns
300s
2ms
TSOP48
TFBGA63
(2)
NAND02GW3B
2.7 to
3.6V
25s
50ns
300s
NAND02GR4B
x16(2)
1024+
32
Words
64K+
2K
Words
1.7 to
1.95V
25s
60ns
300s
NAND02GW4B
2.7 to
3.6V
25s
50ns
300s
1.
x16 organization only available for MCP
2.
Dual Die devices only
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND08GW3B2CZC1 | 1G X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND01GR3B3CZA1 | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND02GR4B2BZB1 | 128M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NCH030A3-FREQ-OUT27 | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1 MHz - 4 MHz, HCMOS OUTPUT |
| NTHA3JAA3-FREQ-OUT27 | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1 MHz - 4 MHz, HCMOS OUTPUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND01GW3B2AN6T | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND01GW3B2AZA1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| NAND01GW3B2AZA6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| NAND01GW3B2AZA6E | 功能描述:闪存 NAND MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND01GW3B2AZA6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3.3V 1GBIT 128MX8 25US 63VFBGA - Tape and Reel |
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