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参数资料
| 型号： | S29WS064N0PBAW011 |
| 厂商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 256/128/64 MEGABIT CMOS 1.8 VOLT ONLY SIMULTANEOUS READ/WRITE BURST MODE FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 256/128/64兆位的CMOS 1.8伏只有同时读/写突发模式闪存 |
| 文件页数： | 85/99页 |
| 文件大小： | 1091K |
| 代理商： | S29WS064N0PBAW011 |
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S29WS-N_00_G0 January 25, 2005
Adva nce
Information
Note: Breakpoints in waveforms indicate that system may alternately read array data from the “non-busy bank” while
checking the status of the program or erase operation in the “busy” bank. The system should read status twice to ensure
valid information.
Figure 11.24. Back-to-Back Read/Write Cycle Timings
OE#
CE#
WE#
tOEH
Data
Addresses
AVD#
PD/30h
AAh
RA
PA/SA
tWC
tDS
tDH
tRC
tOE
tAS
tAH
tACC
tOEH
tWP
tGHWL
tOEZ
tWC
tSR/W
Last Cycle in
Program or
Sector Erase
Command Sequence
Read status (at least two cycles) in same bank
and/or array data from other bank
Begin another
write or program
command sequence
RD
RA
555h
RD
tWPH
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PDF描述 |
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