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参数资料
| 型号： | SPC5634MF1MMG80 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 121/122页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU FLASH 1.5M 94K 208-PBGA |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | MPC56xx Qorivva |
| 核心处理器： | e200z3 |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 80MHz |
| 连通性： | CAN，EBI/EMI，LIN，SCI，SPI，UART/USART |
| 外围设备： | DMA，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 114 |
| 程序存储器容量： | 1.5MB（1.5M x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 94K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 4.5 V ~ 5.25 V |
| 数据转换器： | A/D 34x12b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 封装/外壳： | 208-BGA |
| 包装： | 托盘 |
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MPC5634M Microcontroller Data Sheet, Rev. 9
Electrical characteristics
Freescale Semiconductor
98
4.16.4
eMIOS timing
4.16.5
DSPI timing
Table 39. eMIOS timing1
1 eMIOS timing specified at fSYS = 80 MHz, VDD = 1.14 V to 1.32 V, VDDEH = 4.5 V to 5.25 V, TA = TL to TH, and CL
= 50 pF with SRC = 0b00.
#
Symbol
C
Characteristic
Min.
Value
Max.
Value
Unit
1tMIPW
CC
D eMIOS Input Pulse Width
4
—
tCYC
2tMOPW
CC
D eMIOS Output Pulse Width
1
—
tCYC
Table 40. DSPI timing1,2
#
Symbol
C
Characteristic
40 MHz
60 MHz
80 MHz
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
1tSCK
CC
D SCK Cycle Time3,4
48.8 ns
5.8 ms
28.4 ns
3.5 ms
24.4 ns
2.9 ms
—
2tCSC
CC
D PCS to SCK Delay5
46
—
26
—
22
—
ns
3tASC
CC
D After SCK Delay6
45
—
25
—
21
—
ns
4tSDC
CC
D SCK Duty Cycle
(
tSC) –
2
(
tSC) +
2
(
tSC) –
2
(
tSC) +
2
(
tSC) –
2
(
tSC) +
2
ns
5tA
CC
D Slave Access Time
(SS active to SOUT
driven)
—25—25
—25
ns
6tDIS
CC
D Slave SOUT Disable
Time
(SS inactive to SOUT
High-Z or invalid)
—25—25
—25
ns
7tPCSC
CC
D PCSx to PCSS time
4—4—4—
ns
8tPASC
CC
D PCSS to PCSx time
5—5—5—
ns
9tSUI
CC
Data Setup Time for Inputs
D Master (MTFE = 0)
20
—
20
—
20
—
ns
D Slave
2—2—2—
D Master (MTFE = 1,
CPHA = 0)7
–4
—6—8—
D Master (MTFE = 1,
CPHA = 1)
20
—
20
—
20
—
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