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参数资料
| 型号： | ADUC7032BSTZ-8V-RL |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 56/128页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BATTERY SENSOR PREC 48-LQFP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | MicroConverter® ADuC7xxx |
| 核心处理器： | ARM7 |
| 芯体尺寸： | 16/32-位 |
| 速度： | 20.48MHz |
| 连通性： | LIN，SPI，UART/USART |
| 外围设备： | POR，PSM，温度传感器，WDT |
| 输入/输出数： | 9 |
| 程序存储器容量： | 96KB（48K x 16） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 1.5K x 32 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 3.5 V ~ 18 V |
| 数据转换器： | A/D 2x16b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 封装/外壳： | 48-LQFP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | ADUC7032BSTZ-8V-RLDKR |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页当前第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页
Preliminary Technical Data
ADuC7032
Rev. PrD | Page 33 of 128
Command Sequence for executing a Mass Erase
Giving the significance of the ‘Mass Erase’ command, a
specific code sequence must be executed to initiate this
operation.
1.
Set bit 3 in FEExMOD.
2.
Write 0xFFC3 in FEExADR
3.
Write 0x3CFF in FEExDAT
4.
Run the Mass Erase command 0x06 in FEExCON
This sequence is illustrated in the following example,:
FEExMOD= 0x08
FEExADR= 0xFFC3
FEExDAT= 0x3CFF
FEExCON= 0x06;
// Mass-Erase command
while (FEExSTA & 0x04){}
//Wait for command to finish
Note: To run the mass erase command via FEE0CON, Write
protection on the lower 64kbytes must be disabled, i.e.
FEE1HIDE/FEE1PRO are set to 0xFFFFFFFF.. This may
be done be first removing the protection or erasing the
lower 64kbytes first.
FEE0STA and FEE1STA Registers :
Name :
FEE0STA and FEE1STA
Address :
0xFFFF0E00 and 0xFFFF0E80
Default Value (both registers) :
0x00
Access :
ReadOnly
Function :
These 8-bit read only registers can be read by user code and reflect the current status of the Flash/EE memory
controllers.
Table 12: FEE0STA and FEE1STA MMR bit designations
Bit
Description (note x is 0 or 1 to designate Flash/EE Block 0 or 1)
15-4
Not Used
These bits are not used and will always read as 0.
3
Flash Interrupt Status Bit
Set automatically when an interrupt occurs, i.e. when a command is complete and the Flash/EE interrupt enable bit in the
FEExMOD register is set
Cleared automatically when the FEExSTA register is read by user code
2
Flash/EE controller busy
Set automatically when the Flash/EE controller is busy
Cleared automatically when the controller is not busy
1
Command fail
Set automatically when a command written to FEExCON completes unsuccessfully
Cleared automatically when the FEExSTA register is read by user code
0
Command Successful
Set automatically by MCU when a command is completed successfully.
Cleared automatically when the FEExSTA register is read by user code
FEE0ADR and FEE1ADR Registers:
Name :
FEE0ADR and FEE1ADR
Address :
0xFFFF0E10 and 0xFFFF0E90
Default Value :
Non Zero
Access :
Read/Write Access
Function :
This 16-bit register dictates the address
upon which any Flash/EE command
executed via FEExCON will act upon.
FEE0DAT and FEE1DAT Registers:
Name :
FEE0DAT and FEE1DAT
Address :
0xFFFF0E0C and 0xFFFF0E8C
Default Value :
Non Zero
Access :
Read/Write Access
Function
:
This 16-bit register contains the data either
read from or to be written to the Flash/EE
memory.
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