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参数资料
| 型号： | ADUC7032BSTZ-8V-RL |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 57/128页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BATTERY SENSOR PREC 48-LQFP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | MicroConverter® ADuC7xxx |
| 核心处理器： | ARM7 |
| 芯体尺寸： | 16/32-位 |
| 速度： | 20.48MHz |
| 连通性： | LIN，SPI，UART/USART |
| 外围设备： | POR，PSM，温度传感器，WDT |
| 输入/输出数： | 9 |
| 程序存储器容量： | 96KB（48K x 16） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 1.5K x 32 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 3.5 V ~ 18 V |
| 数据转换器： | A/D 2x16b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 封装/外壳： | 48-LQFP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | ADUC7032BSTZ-8V-RLDKR |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页当前第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页
Preliminary Technical Data
ADuC7032
Rev. PrD | Page 34 of 128
FEE0MOD and FEE1MOD Registers :
Name :
FEE0MOD and FEE1MOD
Address :
0xFFFF0E04 and 0xFFFF0E84
Default Value (both registers) :
0x00
Access :
Read/Write
Function :
These registers are written by user code to configure the mode of operation of the Flash/EE memory controllers.
Table 13: FEE0MOD and FEE1MOD MMR bit designations
Bit
Description (note: x is 0 or 1 to designate Flash/EE Block 0 or 1)
15-7
Not Used
These bits are reserved for future functionality and should be written as 0 by user code
6, 5
Flash/EE Security Lock Bits
These bits must be written as [6,5] = 1,0 to complete the Flash security protect sequence
4
Flash/EE Controller Command Complete Interrupt Enable
This bit is set to 1 by user code to enable the Flash/EE controller to generate an interrupt upon completion of a Flash/EE
command.
This bit is cleared to disable the generation of a Flash/EE interrupt upon completion of a Flash/EE command.
3
Flash/EE Erase/Write Enable
Set by user code to enable the Flash/EE erase and write access via FEExCON
Cleared by user code to disable the Flash/EE erase and write access via FEExCON
2
Reserved and should be written as zero
1
Flash/EE Controller Abort Enable
This bit is set to 1 by user code to enable the Flash/EE controller abort functionality.
0
Reserved and should be written as zero
FLASH/EE MEMORY SECURITY
The 94kByte of Flash/EE memory available to the user can be
read and write protected using the FFE0HID and FEE1HID
registers.
In Block0, the FEE0HID MMR protects the 30kBytes. Bits 0-28
of this register protect pages 0-57 from writing. Each bit
protects 2 pages, i.e. 1kBytes. Bits 29-30 protect pages 58 and 59
respectively, i.e. each bit write protects a single page of 512
bytes. The MSB of this register (Bit31) protects Block0 from
been read via JTAG.
The FEE0PRO register mirrors the bit definitions of the
FEE0HID MMR. The FEE0PRO MMR allows user code to lock
the protection or security configuration of the Flash memory so
that the protection configuration is automatically loaded on
subsequent power-on or reset events. This flexibility allows the
user to set and test protection settings temporarily using the
FEE0HID MMR and subsequently lock the required protection
configuration (using FEE0PRO) when shipping protection
systems into the field.
In Block1 (64K), the FEE1HID MMR protects the 64kBytes.
Bits 0-29 of this register protect pages 0-119 from writing. Each
bit protects 4 pages, i.e. 2kBytes. Bit30 protect pages 120-127,
i.e. bit 30 write protects eight pages of 512 bytes. The MSB of
this register (Bit31) protects Flash/EE Block1, from been read
via JTAG.
As with Block0, FEE1PRO register mirrors the bit definitions of
the FEE1HID MMR. The FEE1PRO MMR is allows user code
to lock the protection or security configuration of the Flash
memory so that the protection configuration is automatically
loaded on subsequent power-on or reset events.
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