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参数资料
| 型号： | BDX33BBU |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 12/61页 |
| 文件大小： | 360K |
| 代理商： | BDX33BBU |
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BDX33B BDX33C BDX34B BDX34C
3–218
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage1
(IC = 100 mAdc, IB = 0)
BDX33B/BDX34B
BDX33C/BDX34C
VCEO(sus)
80
100
—
Vdc
Collector–Emitter Sustaining Voltage1
(IC = 100 mAdc, IB = 0, RBE = 100)
BDX33B/BDX34B
BDX33C/BDX33C
VCER(sus)
80
100
—
Vdc
Collector–Emitter Sustaining Voltage1
(IC = 100 mAdc, IB = 0, VBE = 1.5 Vdc)
BDX33B/BDX34B
BDX33C/BDX34C
VCEX(sus)
80
100
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 1/2 rated VCEO, IB = 0)
TC = 25_C
TC = 100_C
ICEO
—
0.5
10
mAdc
Collector Cutoff Current
(VCB = rated VCBO, IE = 0)
TC = 25_C
TC = 100_C
ICBO
—
1.0
5.0
mAdc
Emitter Cutoff Current
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
10
mAdc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain1
(IC = 3.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
BDX33B, 33C/34B, 34C
hFE
750
—
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 3.0 Adc, IB = 6.0 mAdc)
BDX33B, 33C/34B, 34C
VCE(sat)
—
2.5
Vdc
Base–Emitter On Voltage
(IC = 3.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
BDX33B, 33C/34B, 34C
VBE(on)
—
2.5
Vdc
Diode Forward Voltage
(IC = 8.0 Adc)
VF
—
4.0
Vdc
1 Pulse Test: Pulse Width v 300 s, Duty Cycle v 2.0%.
2 Pulse Test non repetitive: Pulse Width = 0.25 s.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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