- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录295140 > BDX33BBU (ON SEMICONDUCTOR) 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | BDX33BBU |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 50/61页 |
| 文件大小： | 360K |
| 代理商： | BDX33BBU |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页当前第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页
Industry
Part Number
Motorola
Nearest
Replacement
Motorola
Similar
Replacement
Page
Number
Industry
Part Number
Motorola
Nearest
Replacement
Motorola
Similar
Replacement
Page
Number
Index and Cross Reference
1–24
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
INDEX AND CROSS REFERENCE (continued)
MJE13070
MJE16002
3–688
MJE13071
MJE16002
3–688
MJE1320
3–620
MJE15020
MJE13007
3–667
MJE15028
3–684
MJE15029
3–684
MJE15030
3–684
MJE15031
3–684
MJE15032
—
MJE15033
—
MJE16002
3–688
MJE16004
3–688
MJE16032
MJW16018
3–520
MJE16034
MJW16018
3–520
MJE16080
MJW16206
3–855
MJE16081
MJW16206
3–855
MJE16106
3–696
MJE16204
3–814
MJE1660
2N6487
3–132
MJE1661
2N6487
3–132
MJE170
MJE171
3–589
MJE171
3–589
MJE172
3–589
MJE180
MJE181
3–589
MJE18002
3–704
MJE18002D2
3–712
MJE18004
3–715
MJE18004D2
3–724
MJE18006
3–734
MJE18008
3–742
MJE18009
3–750
MJE181
3–589
MJE182
3–589
MJE18204
3–759
MJE18206
3–769
MJE18604D2
3–779
MJE200
3–592
MJE201
MJE3055T
3–628
MJE2010
TIP42B
3–883
MJE2011
TIP42B
3–883
MJE202
MJE3055T
3–628
MJE2020
TIP41B
3–883
MJE2021
TIP41B
3–883
MJE203
MJE3055T
3–628
MJE204
MJE3055T
3–628
MJE205
MJE3055T
3–628
MJE2050
MJE200
3–592
MJE2055
MJE3055T
3–628
MJE205K
TIP41B
3–883
MJE2090
TIP125
3–900
MJE2091
TIP125
3–900
MJE2092
TIP126
3–900
MJE2093
TIP126
3–900
MJE210
3–592
MJE2100
TIP120
3–900
MJE2101
TIP120
3–900
MJE2102
TIP121
3–900
MJE2103
TIP121
3–900
MJE2150
MJE210
3–592
MJE2160
TIP48
3–887
MJE220
MJE181
3–589
MJE221
MJE181
3–589
MJE222
MJE181
3–589
MJE223
MJE182
3–589
MJE224
MJE182
3–589
MJE225
MJE182
3–589
MJE230
MJE171
3–589
MJE231
MJE171
3–589
MJE232
MJE171
3–589
MJE233
MJE172
3–589
MJE234
MJE172
3–589
MJE235
MJE172
3–589
MJE2360
MJE2360T
3–626
MJE2360T
3–626
MJE2361
MJE2361T
3–626
MJE2361T
3–626
MJE2370
TIP32B
3–873
MJE2371
TIP32B
3–873
MJE242
MJE243
3–596
MJE243
3–596
MJE244
MJE243
3–596
MJE2480
TIP31B
3–873
MJE2481
TIP31B
3–873
MJE2482
TIP31B
3–873
MJE2483
TIP31B
3–873
MJE2490
TIP32B
3–873
MJE2491
TIP32B
3–873
MJE252
MJE253
3–596
MJE2520
TIP31B
3–873
MJE2521
TIP31B
3–873
MJE2522
TIP31B
3–873
MJE2523
TIP31B
3–873
MJE253
3–596
MJE254
MJE253
3–596
MJE270
MJE253
3–596
MJE271
3–600
MJE2801
2N6107
3–101
MJE2801K
MJE3055T
3–628
MJE2801T
MJE3055T
3–628
MJE29
TIP31B
3–873
MJE2901
MJE2955T
3–628
MJE2901K
MJE2955T
3–628
MJE2901T
MJE2955T
3–628
MJE2955
MJE2955T
3–628
MJE2955K
MJE2955T
3–628
MJE2955T
3–628
MJE29A
TIP31B
3–873
MJE29B
TIP31B
3–873
MJE29C
TIP31C
3–873
MJE30
TIP32B
3–873
MJE3055
2N6107
3–101
MJE3055K
MJE3055T
3–628
MJE3055T
3–628
MJE30A
TIP32B
3–873
MJE30B
TIP32B
3–873
MJE30C
TIP32C
3–873
MJE31
TIP31B
3–873
MJE31A
TIP31B
3–873
MJE31B
TIP31B
3–873
MJE31C
TIP31C
3–873
MJE32
TIP32B
3–873
MJE32A
TIP32B
3–873
MJE32B
TIP32B
3–873
MJE32C
TIP32C
3–873
MJE33
TIP41B
3–883
MJE3300
2N6038
3–85
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BDX54B | Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(功率达林顿晶体管) |
| BDX54C | Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(功率达林顿晶体管) |
| BDX54F | Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互补硅功率达林顿晶体管) |
| BF304-0PB-006B | SINGLE COLOR DISPLAY CLUSTER, SUPER BLUE, 9 mm |
| BF304-0PB-130B | SINGLE COLOR DISPLAY CLUSTER, SUPER BLUE, 9 mm |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BDX33BG | 功能描述:达林顿晶体管 10A 80V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| BDX33B-S | 功能描述:达林顿晶体管 80V 10A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| BDX33C | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| BDX33C | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220 |
| BDX33CG | 功能描述:达林顿晶体管 10A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。