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参数资料
型号： BDX33BBU
厂商： ON SEMICONDUCTOR
元件分类： 功率晶体管
英文描述： 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件页数： 56/61页
文件大小： 360K
代理商： BDX33BBU
Selector Guide
2–4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 2. Plastic TO–220AB
Device Type
Resistive Switching
PD
ICCont
Amps
Max
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
NPN
PNP
hFE
Min/Max
@ IC
Amp
ts
s
Max
tf
s
Max
@ IC
Amp
fT
MHz
Min
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
0.5
350
MJE2360T
15 min
0.1
10 typ
30
MJE2361T
40 min
0.1
10 typ
30
1
100
TIP29C
TIP30C
15/75
1
0.6 typ
0.3 typ
1
3
30
250
TIP47
30/150
0.3
2 typ
0.18 typ
0.3
10
40
300
TIP48
MJE5730
30/150
0.3
2 typ
0.18 typ
0.3
10
40
350
TIP49
MJE5731
30/150
0.3
2 typ
0.18 typ
0.3
10
40
400
TIP50
MJE5731A (7)
30/150
0.3
2 typ
0.18 typ
0.3
10
40
2
100
TIP112 (2)
TIP117 (2)
500 min
2
1.7 typ
1.3 typ
2
25(1)
50
400/700
BUL44
14/36
0.4
2.75(3)
0.175(3)
1
13 typ
50
450/1000
BUX85
30
0.1
3.5
1.4
1
4
50
450/1000
MJE18002
14/34
0.2
3(3)
0.17(3)
1
12 typ
40
900/1800
MJE1320
3 min
1
4 typ
0.8 typ
1
80
3
80
BD241B
BD242B
25 min
1
3
40
100
BD241C
BD242C
25 min
1
3
40
TIP31C
TIP32C
25 min
1
0.6 typ
0.3 typ
1
3
40
150
MJE9780
50/200
0.5
5 typ
40
(1)|hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(3)Switching tests performed w/special application simulator circuit. See data sheet for details.
(7)VCEO = 375 V
(8)When 2 voltages are given, the format is VCEO(sus)/VCES.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
CASE 221A–06
(TO–220AB)
1
2
3
4
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PDF描述
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BF304-0PB-006B SINGLE COLOR DISPLAY CLUSTER, SUPER BLUE, 9 mm
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相关代理商/技术参数
参数描述
BDX33BG 功能描述:达林顿晶体管 10A 80V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
BDX33B-S 功能描述:达林顿晶体管 80V 10A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
BDX33C 功能描述:达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
BDX33C 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220
BDX33CG 功能描述:达林顿晶体管 10A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
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