参数资料
型号: BDX33BBU
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装: PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件页数: 22/61页
文件大小: 360K
代理商: BDX33BBU
5–7
Outline Dimensions and Leadform Options
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
TO–220 Leadform Options (continued)
LEADFORM BA
LEADFORM AN
LEADFORM AK
MOUNTING
SURFACE
.285
± 0.020
0.040 RAD
± 0.015
.240
± 0.015
.186
± .03
CASE
221A–04
221A–06
A
0.220 Min.
0.190 Min.
B
0.325 Min.
0.290 Min.
MOUNTING
SURFACE
0.020 RAD.
TYP.
0.100
TYP.
0.100 TYP.
± 0.020
.150 MIN
.100 REF
.200 REF
.140
± .010
.017
REF
.032 REF
.050 REF
.06 R
.580
± .010
A
0.586
0.616
.380
± .02
.590
± .010 .775
± 0.015
B
LEADFORM BG
0.620 REF.
0.780
± 0.015
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
BDX33BG 功能描述:达林顿晶体管 10A 80V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
BDX33B-S 功能描述:达林顿晶体管 80V 10A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
BDX33C 功能描述:达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
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BDX33CG 功能描述:达林顿晶体管 10A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel