型号: | BDX33BBU |
厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
封装: | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
文件页数: | 31/61页 |
文件大小: | 360K |
代理商: | BDX33BBU |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
BDX54B | Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(功率达林顿晶体管) |
BDX54C | Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(功率达林顿晶体管) |
BDX54F | Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互补硅功率达林顿晶体管) |
BF304-0PB-006B | SINGLE COLOR DISPLAY CLUSTER, SUPER BLUE, 9 mm |
BF304-0PB-130B | SINGLE COLOR DISPLAY CLUSTER, SUPER BLUE, 9 mm |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
BDX33BG | 功能描述:达林顿晶体管 10A 80V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
BDX33B-S | 功能描述:达林顿晶体管 80V 10A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
BDX33C | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
BDX33C | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220 |
BDX33CG | 功能描述:达林顿晶体管 10A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |