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参数资料
| 型号： | BDX33BBU |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 37/61页 |
| 文件大小： | 360K |
| 代理商： | BDX33BBU |
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Motorola
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Motorola
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Index and Cross Reference
1–12
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
INDEX AND CROSS REFERENCE (continued)
2SD376
BUV23
3–388
2SD380
MJ16018
3–520
2SD381
MJE15030
3–684
2SD382
MJE15030
3–684
2SD383
MJ423
3–419
2SD386
MJE13005
3–661
2SD387
MJE13005
3–661
2SD388
MJ15011
3–502
2SD389
TIP31B
3–873
2SD390
TIP31B
3–873
2SD393
MJ16010
3–512
2SD394
MJ16010
3–512
2SD395
MJ16010
3–512
2SD396
2N6547
3–140
2SD401
TIP47
3–887
2SD402
TIP47
3–887
2SD404
TIP120
3–900
2SD414
MJE341
3–604
2SD415
MJE341
3–604
2SD416
MJ16018
3–520
2SD418
MJ16018
3–520
2SD422
MJE13005
3–661
2SD423
MJE13005
3–661
2SD424
MJ15001
3–497
2SD425
MJ15001
3–497
2SD426
MJ15001
3–497
2SD427
2N3055A
3–5
2SD429
2N6547
3–140
2SD430
2N3055A
3–5
2SD431
MJ15001
3–497
2SD432
MJ15001
3–497
2SD433
MJ15011
3–502
2SD434
BUV23
3–388
2SD435
MJ13333
3–487
2SD436
MJ13333
3–487
2SD437
MJ16010
3–512
2SD45
2N3442
3–9
2SD457
MJ10015
3–461
2SD458
MJ16010
3–512
2SD459
TIP121
3–900
2SD46
2N3442
3–9
2SD460
TIP122
3–900
2SD461
MJ423
3–419
2SD463
2N6056
3–97
2SD464
2N6056
3–97
2SD475
TIP31B
3–873
2SD476
TIP31B
3–873
2SD478
TIP47
3–887
2SD479
2N6038
3–85
2SD480
2N6038
3–85
2SD481
2N6039
3–85
2SD482
2N5657
3–63
2SD483
2N5657
3–63
2SD484
2N5657
3–63
2SD485
2N5191
3–44
2SD486
2N5191
3–44
2SD487
2N5192
3–44
2SD488
2N4921
3–38
2SD489
2N4922
3–38
2SD490
2N4923
3–38
2SD491
MJE3055T
3–628
2SD492
2N3055
3–2
2SD493
MJE3055T
3–628
2SD494
MJE3055T
3–628
2SD495
MJE3055T
3–628
2SD496
2N6044
3–89
2SD497
2N6044
3–89
2SD498
2N6045
3–89
2SD499
MJE3055T
3–628
2SD500
MJE3055T
3–628
2SD501
2N6488
3–132
2SD502
2N6056
3–97
2SD503
2N6056
3–97
2SD504
2N6059
3–93
2SD505
2N6059
3–93
2SD506
2N6059
3–93
2SD517
BU208A
3–226
2SD518
MJE13005
3–661
2SD522
2N5882
3–77
2SD523
2N6056
3–97
2SD524
2N6056
3–97
2SD525
TIP41C
3–883
2SD526
TIP41B
3–883
2SD53
2N3055A
3–5
2SD531
TIP41C
3–883
2SD533
MJ423
3–419
2SD538
MJ16010
3–512
2SD544
TIP41C
3–883
2SD549
TIP111
3–895
2SD55
2N6328
—
2SD552
BUV23
3–388
2SD553
TIP41B
3–883
2SD570
TIP31B
3–873
2SD574
MJ11016
3–478
2SD577
BU208A
3–226
2SD589
MJ16018
3–520
2SD598
2N3055A
3–5
2SD60
2N3442
3–9
2SD600
2N4923
3–38
2SD605
MJ10012
3–457
2SD608
TIP47
3–887
2SD610
TIP47
3–887
2SD612
MJE521
3–610
2SD613
TIP41C
3–883
2SD622
MJE13005
3–661
2SD626
MJ10012
3–457
2SD627
BU208A
3–226
2SD628
2N6059
3–93
2SD629
2N6059
3–93
2SD630
2N5302
3–54
2SD631
2N5302
3–54
2SD633
TIP122
3–900
2SD634
TIP121
3–900
2SD635
TIP120
3–900
2SD640
BUX48A
3–401
2SD642
MJ10016
3–461
2SD643
MJ10015
3–461
2SD644
MJ10016
3–461
2SD645
MJ10016
3–461
2SD646
MJ10016
3–461
2SD649
BU208A
3–226
2SD650
MJ10012
3–457
2SD663
MJ10012
3–457
2SD665
BUV23
3–388
2SD668
MJE344
3–604
2SD669
MJE344
3–604
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参数描述 |
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| BDX33B-S | 功能描述:达林顿晶体管 80V 10A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| BDX33C | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| BDX33C | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220 |
| BDX33CG | 功能描述:达林顿晶体管 10A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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