- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录295140 > BDX33BBU (ON SEMICONDUCTOR) 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | BDX33BBU |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/61页 |
| 文件大小： | 360K |
| 代理商： | BDX33BBU |
第1页第2页第3页第4页第5页当前第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页
Selector Guide
2–12
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 7. DPAK – Surface Mount Power Packages (continued)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
Resistive Switching
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
Device Type
VCEO(sus)
Volts
Min
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
@ IC
Amp
tf
s
Max
ts
s
Max
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
PNP
NPN
VCEO(sus)
Volts
Min
2
100
MJD112 (2)
MJD117 (2)
1000 min
2
1.7
1.3
2
25(1)
20
3
40
MJD31
MJD32
10 min
1
0.6
0.3
1
3
15
100
MJD31C
MJD32C
10 min
1
0.6
0.3
1
3
15
4
80
MJD6039 (2)
MJD6036 (2)
1k/12k
2
1.7
1.2
2
25
20
100
MJD243
MJD253
40/180
0.2
0.16
0.04
1
40
12.5
5
25
MJD200
MJD210
45/180
2
0.15
0.04
2
65
12.5
6
100
MJD41C
MJD42C
15/75
3
0.4
0.15
3
20
8
80
MJD44H11
MJD45H11
40 min
4
0.5
0.14
5
50 typ
20
100
MJD122 (2)
MJD127 (2)
1k/12k
4
1.5
2
4
4(1)
20
10
60
MJD3055
MJD2955
20/100
4
1.5
3
2
20
80
MJD44E3 (2)
1k min
5
2
0.5
10
20
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
CASE 197A TO–204AE
(Used for high current types at end of
table. See types w/footnote(16).)
2
1
CASE 1–07
TO–204AA
.040
″
.060
″
Table 8. Metal TO–204AA (Formerly TO–3), TO–204AE
Device Type
Resistive Switching
PD
ICCont
Amps
Max
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
NPN
PNP
hFE
Min/Max
@ IC
Amp
ts
s
Max
tf
s
Max
@ IC
Amp
fT
MHz
Min
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
4
200
MJ15018
30 min
1
20
150
250
MJ15020
MJ15021
30 min
1
20
150
5
700/1500
BU208A
2.5 min
4.5
8 typ
0.4 typ
4.5
4 typ
90
8
60
MJ1000(2)
1k min
3
90
2N6055(2)
750/18k
4
1.5 typ
4
4(1)
100
80
MJ1001 (2)
1k min
3
90
2N6056 (2)
750/18k
4
1.5 typ
4
4(1)
100
(1)|hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(8)When 2 voltages are given, the format is VCEO(sus)/VCES.
(12)Case 369 may be ordered by adding –1 suffix to part number.
(13)Case 369A may be ordered as tape and reel by adding a “T4” suffix; 2500 units/reel.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BDX54B | Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(功率达林顿晶体管) |
| BDX54C | Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(功率达林顿晶体管) |
| BDX54F | Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互补硅功率达林顿晶体管) |
| BF304-0PB-006B | SINGLE COLOR DISPLAY CLUSTER, SUPER BLUE, 9 mm |
| BF304-0PB-130B | SINGLE COLOR DISPLAY CLUSTER, SUPER BLUE, 9 mm |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BDX33BG | 功能描述:达林顿晶体管 10A 80V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| BDX33B-S | 功能描述:达林顿晶体管 80V 10A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| BDX33C | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| BDX33C | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220 |
| BDX33CG | 功能描述:达林顿晶体管 10A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。