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参数资料
| 型号： | BDX33BBU |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 34/61页 |
| 文件大小： | 360K |
| 代理商： | BDX33BBU |
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BDX33B BDX33C BDX34B BDX34C
3–220
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
0.1
Figure 5. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
10
500
300
h
FE
,DC
C
URREN
T
GAIN
TJ = 150°C
25
°C
–55
°C
VCE = 4.0 V
200
7.0
NPN
BDX33B, 33C
PNP
BDX34B, 34C
20,000
5000
10,000
3000
2000
1000
3.0
5.0
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.2 0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
10
500
300
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
TJ = 150°C
25
°C
–55
°C
200
7.0
20,000
5000
10,000
3000
2000
1000
3.0
5.0
VCE = 4.0 V
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
Figure 6. Collector Saturation Region
3.0
IB, BASE CURRENT (mA)
0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
30
2.6
2.2
1.8
1.4
IC = 2.0 A
TJ = 25°C
4.0 A
6.0 A
1.0
0.7
20
10
3.0
IB, BASE CURRENT (mA)
0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
30
2.6
2.2
1.8
1.4
IC = 2.0 A
TJ = 25°C
4.0 A
6.0 A
1.0
0.7
20
10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
VBE(sat) @ IC/IB = 250
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
Figure 7. “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VCE(sat) @ IC/IB = 250
TJ = 25°C
VBE @ VCE = 4.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 250
TJ = 25°C
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
10
7.0
3.0
5.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
10
7.0
3.0
5.0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
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