参数资料
型号: BDX33BBU
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装: PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件页数: 61/61页
文件大小: 360K
代理商: BDX33BBU
2–7
Selector Guide
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 2. Plastic TO–220AB (continued)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
Resistive Switching
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
Device Type
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
@ IC
Amp
tf
s
Max
ts
s
Max
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
PNP
NPN
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
10
100
BDX33C (2)
BDX34C (2)
750 min
3
70
450/1000
MJE18009
14/34
1.5
2.75(3)
0.2(3)
3
12
150
12
400/700
MJE13009
6/30
8
3
0.7
8
4
100
15
80
2N6488
2N6491
20/150
5
0.6 typ
0.3 typ
5
75
D44VH10
D45VH10
20 min
4
0.5
0.09
8
50 typ
83
100
BDW42 (2)
BDW47 (2)
1k min
5
1 typ
1.5 typ
5
4
85
Table 3. Plastic TO–218 Type
Device Type
Resistive Switching
PD
ICCont
Amps
Max
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
NPN
PNP
hFE
Min/Max
@ IC
Amp
ts
s
Max
tf
s
Max
@ IC
Amp
fT
MHz
Min
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
8
500/1000
MJH16006A
5 min
8
2.5
0.25
5
125
10
60
TIP140(2)
TIP145(2)
500 min
10
2.5 typ
5
4(1)
125
TIP141 (2)
TIP146 (2)
500 min
10
2.5 typ
5
4(1)
125
100
BDV65B (2)
BDV64B (2)
1k min
5
125
TIP33C
TIP34C
20/100
3
80
TIP142(2)
TIP147(2)
500 min
10
2.5 typ
5
4(1)
125
400
BU323AP (2)
150/100
6
15
6
125
MJH10012 (2)
100/2k
6
15
6
118
(1)|hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(8)When 2 voltages are given, the format is VCEO(sus)/VCES.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
CASE 340D
(TO–218 Type,
SOT–93)
1
3
2
4
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PDF描述
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BF304-0PB-006B SINGLE COLOR DISPLAY CLUSTER, SUPER BLUE, 9 mm
BF304-0PB-130B SINGLE COLOR DISPLAY CLUSTER, SUPER BLUE, 9 mm
相关代理商/技术参数
参数描述
BDX33BG 功能描述:达林顿晶体管 10A 80V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
BDX33B-S 功能描述:达林顿晶体管 80V 10A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
BDX33C 功能描述:达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
BDX33C 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220
BDX33CG 功能描述:达林顿晶体管 10A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel