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参数资料
型号： EC103D175
英文描述： Thyristor Product Catalog
中文描述： 晶闸管产品目录
文件页数： 151/224页
文件大小： 2697K
代理商： EC103D175
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Triacs
Data Sheets
http://www.teccor.com
E2 - 4
2002 Teccor Electronics
+1 972-580-7777
Thyristor Product Catalog
Specific Test Conditions
di/dt — Maximum rate-of-change of on-state current; IGT = 200 mA with
≤0.1 s rise time
dv/dt — Critical rate-of-rise of off-state voltage at rated VDRM gate open
dv/dt(c) — Critical rate-of-rise of commutation voltage at rated VDRM
and IT(RMS) commutating di/dt = 0.54 rated IT(RMS)/ms; gate
unenergized
I2t — RMS surge (non-repetitive) on-state current for period of 8.3 ms
for fusing
IDRM — Peak off-state current, gate open; VDRM = maximum rated value
IGT — DC gate trigger current in specific operating quadrants;
VD = 12 V dc
IGTM — Peak gate trigger current
IH — Holding current (DC); gate open
IT(RMS) — RMS on-state current conduction angle of 360°
ITSM — Peak one-cycle surge
PG(AV) — Average gate power dissipation
PGM — Peak gate power dissipation; IGT ≤ IGTM
tgt — Gate controlled turn-on time; IGT = 200 mA with 0.1 s rise time
VDRM — Repetitive peak blocking voltage
VGT — DC gate trigger voltage; VD = 12 V dc; RL = 60
VTM — Peak on-state voltage at maximum rated RMS current
General Notes
All measurements are made at 60 Hz with a resistive load at an
ambient temperature of +25
°C unless specified otherwise.
Operating temperature range (TJ) is -65 °C to +125 °C for TO-92,
-25 °C to +125 °C for Fastpak, and -40
°C to +125 °C for all other
devices.
Storage temperature range (TS) is -65 °C to +150 °C for TO-92,
-40
°C to +150 °C for TO-202, and -40 °C to +125 °C for all other
devices.
Lead solder temperature is a maximum of 230
°C for 10 seconds,
maximum;
≥1/16" (1.59 mm) from case.
The case temperature (TC) is measured as shown on the dimen-
sional outline drawings. See “Package Dimensions” section of this
catalog.
IT(RMS)
Part Number
VDRM
IGT
IDRM
Isolated
Non-isolated
(4) (16)
TO-3
Fastpak
TO-220
TO-202
TO-220
TO-263
D2Pak
(1)
Volts
(3) (7) (15)
mAmps
(1) (16)
mAmps
QI
QII
QIII
QIV
TC =
25 °C
TC =
100 °C
TC =
125 °C
MAX
See “Package Dimensions” section for variations. (11)
MIN
MAX
TYP
MAX
10 A
Q2010L4
Q2010R4
Q2010N4
200
25
50
0.05
1
Q4010L4
Q4010R4
Q4010N4
400
25
50
0.05
1
Q6010L4
Q6010R4
Q6010N4
600
25
50
0.05
1
Q8010L4
Q8010R4
Q8010N4
800
25
50
0.1
1
QK010L4
QK010R4
QK010N4
1000
25
50
0.1
3
Q2010L5
Q2010F51
Q2010R5
Q2010N5
200
50
75
0.05
0.5
2
Q4010L5
Q4010F51
Q4010R5
Q4010N5
400
50
75
0.05
0.5
2
Q6010L5
Q6010F51
Q6010R5
Q6010N5
600
50
75
0.05
0.5
2
Q8010L5
Q8010R5
Q8010N5
800
50
75
0.1
0.5
2
QK010L5
QK010R5
QK010N5
1000
50
75
0.1
3
15 A
Q2015L5
Q2015R5
Q2015N5
200
50
0.05
0.5
2
Q4015L5
Q4015R5
Q4015N5
400
50
0.05
0.5
2
Q6015L5
Q6015R5
Q6015N5
600
50
0.05
0.5
2
Q8015L5
Q8015R5
Q8015N5
800
50
0.1
1
3
QK015L5
QK015R5
QK015N5
1000
50
0.1
3
25 A
Q2025R5
Q2025N5
200
50
0.1
1
3
Q4025R5
Q4025N5
400
50
0.1
1
3
Q6025R5
Q6025N5
600
50
0.1
1
3
Q8025R5
Q8025N5
800
50
0.1
1
3
QK025R5
QK025N5
1000
50
0.1
3
Q6025P5
600
505050
120
0.1
5
Q8025P5
800
505050
120
0.1
5
35 A
Q6035P5
600
50
120
0.1
5
Q8035P5
800
50
120
0.1
5
MT1
MT2
Gate
MT1
MT2
T
MT2
MT1
G
MT2
MT1
G
MT2
MT1
G
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EC103D1RP 功能描述:SCR 400V .8A 12uA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
EC103D1WX 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:1000 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:EC103D1W/SC-73/REEL7// - Tape and Reel 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SCR SENS GATE 400V SC-73 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SCRs 400v Sc-73 Scr Sens Gate
EC103D2 功能描述:SCR 400V .8A 50uA Sensing RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
EC103D275 功能描述:SCR 400V .8A 50uA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
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