参数资料
型号: EC103D175
英文描述: Thyristor Product Catalog
中文描述: 晶闸管产品目录
文件页数: 97/224页
文件大小: 2697K
代理商: EC103D175
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AN1009
Application Notes
http://www.teccor.com
AN1009 - 2
2002 Teccor Electronics
+1 972-580-7777
Thyristor Product Catalog
Examples of Gate Terminations
Primary Purpose
(1) Increase dv/dt capability
(2) Keep gate clamped to ensure VDRM
capability
(3) Lower tq time
Related Effect — Raises the device latching
and holding current
Primary Purpose
(1) Increase dv/dt capability
(2) Remove high frequency noise
Related Effects
(1) Increases delay time
(2) Increases turn-on interval
(3) Lowers gate signal rise time
(4) Lowers di/dt capability
(5) Increases tq time
Primary Purpose
(1) Decrease DC gate sensitivity
(2) Decrease tq time
Related Effects
(1) Negative gate current increases holding
current and causes gate area to drop out of
conduction
(2) In pulse gating gate signal tail may
cause device to drop out of conduction
Primary Purpose — Select frequency
Related Effects — Unless circuit is
“damped,” positive and negative gate current
may inhibit conduction or bring about spo-
radic anode current
Primary Purpose
(1) Supply reverse bias in off period
(2) Protect gate and gate supply for reverse
transients
(3) Lower tq time
Related Effects — Isolates the gate if high
impedance signal source is used without
sustained diode current in the negative cycle
Primary Purpose — Decrease threshold
sensitivity
Related Effects
(1) Affects gate signal rise time and di/dt
rating
(2) Isolates the gate
Primary Purpose — Isolate gate circuit DC
component
Related Effects — In narrow gate pulses
and low impedance sources, Igt followed by
reverse gate signals which may inhibit con-
duction
Curves for Average Current at Various
Conduction Angles
SCR maximum average current curves for various conduction
angles can be established using the factors for maximum aver-
age current at conduction angle of:
30° = 0.40 x Avg 180°
60° = 0.56 x Avg 180°
90° = 0.70 x Avg 180°
120° = 0.84 x Avg 180°
The reason for different ratings is that the average current for
conduction angles less than 180° is derated because of the
higher RMS current connected with high peak currents.
Note that maximum allowable case temperature (TC) remains the
same for each conduction angle curve but is established from
average current rating at 180° conduction as given in the data
sheet for any particular device type. The maximum TC curve is
then derated down to the maximum junction (TJ). The curves
illustrated in Figure AN1009.4 are derated to 125 °C since the
maximum TJ for the non-sensitive SCR series is 125 °C.
Figure AN1009.4
Typical Curves for Average On-state Current at
Various Conduction Angles versus TC for a
SXX20L SCR
Zener
optional
80
85
90
95
100
105
110
115
120
125
02468
10
12
14
16
Average On-state Current [IT(AV)] – Amps
Maximum
Allowable
Case
Temperature
(T
C
)–
C
180
90
30
60
120
Current: Halfwave Sinusoidal
Load: Resistive or Inductive
Conduction Angle: As Given Below
Case Temperature: Measured as
Shown on Dimensional Drawings
Conduction Angle
7.2
10.8
12.8
5.1
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EC103D1RP 功能描述:SCR 400V .8A 12uA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
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EC103D2 功能描述:SCR 400V .8A 50uA Sensing RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
EC103D275 功能描述:SCR 400V .8A 50uA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube