参数资料
型号: EC103D175
英文描述: Thyristor Product Catalog
中文描述: 晶闸管产品目录
文件页数: 41/224页
文件大小: 2697K
代理商: EC103D175
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页当前第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页第191页第192页第193页第194页第195页第196页第197页第198页第199页第200页第201页第202页第203页第204页第205页第206页第207页第208页第209页第210页第211页第212页第213页第214页第215页第216页第217页第218页第219页第220页第221页第222页第223页第224页
Application Notes
AN1003
2002 Teccor Electronics
AN1003 - 3
http://www.teccor.com
Thyristor Product Catalog
+1 972-580-7777
Control Characteristics
A relaxation oscillator is the simplest and most common control
circuit for phase control. Figure AN1003.7 illustrates this circuit
as it would be used with a thyristor. Turn-on of the thyristor
occurs when the capacitor is charged through the resistor from a
voltage or current source until the breakover voltage of the
switching device is reached. Then, the switching device changes
to its on state, and the capacitor is discharged through the thyris-
tor gate. Trigger devices used are neon bulbs, unijunction tran-
sistors, and three-, four-, or five-layer semiconductor trigger
devices. Phase control of the output waveform is obtained by
varying the RC time constant of the charging circuit so the trigger
device breakdown occurs at different phase angles within the
controlled half or full cycle.
Figure AN1003.7
Relaxation Oscillator Thyristor Trigger Circuit
Figure AN1003.8 shows the capacitor voltage-time characteristic
if the relaxation oscillator is to be operated from a pure DC
source.
Figure AN1003.8
Capacitor Charging from DC Source
Usually, the design starting point is the selection of a capacitance
value which will reliably trigger the thyristor when the capacitance
is discharged. Trigger devices and thyristor gate triggering char-
acteristics play a part in the selection. All the device characteris-
tics are not always completely specified in applications, so
experimental determination is sometimes needed.
Upon final selection of the capacitor, the curve shown in Figure
AN1003.8 can be used in determining the charging resistance
needed to obtain the desired control characteristics.
Many circuits begin each half-cycle with the capacitor voltage at
or near zero. However, most circuits leave a relatively large
residual voltage on the capacitor after discharge. Therefore, the
charging resistor must be determined on the basis of additional
charge necessary to raise the capacitor to trigger potential.
For example, assume that we want to trigger an S2010L SCR
with a 32 V trigger diac. A 0.1 F capacitor will supply the neces-
sary SCR gate current with the trigger diac. Assume a 50 V dc
power supply, 30° minimum conduction angle, and 150° maxi-
mum conduction angle with a 60 Hz input power source. At
approximately 32 V, the diac triggers leaving 0.66 VBO of diac
voltage on the capacitor. In order for diac to trigger, 22 V must be
added to the capacitor potential, and 40 V additional (50-10) are
available. The capacitor must be charged to 22/40 or 0.55 of the
available charging voltage in the desired time. Looking at Figure
AN1003.8, 0.55 of charging voltage represents 0.8 time constant.
The 30° conduction angle required that the firing pulse be
delayed 150° or 6.92 ms. (The period of 1/2 cycle at 60 Hz is
8.33 ms.) To obtain this time delay:
6.92 ms = 0.8 RC
RC = 8.68 ms
if C = 0.10 F
then,
To obtain the minimum R (150° conduction angle), the delay is
30° or
(30/180) x 8.33 = 1.39 ms
1.39 ms = 0.8 RC
RC = 1.74 ms
Using practical values, a 100 k potentiometer with up to 17 k min-
imum (residual) resistance should be used. Similar calculations
using conduction angles between the maximum and minimum
values will give control resistance versus power characteristic of
this circuit.
Triac Phase Control
The basic full-wave triac phase control circuit shown in
Figure AN1003.9 requires only four components. Adjustable
resistor R1 and C1 are a single-element phase-shift network.
When the voltage across C1 reaches breakover voltage (VBO) of
the diac, C1 is partially discharged by the diac into the triac gate.
The triac is then triggered into the conduction mode for the
remainder of that half-cycle. In this circuit, triggering is in Quad-
rants I and III. The unique simplicity of this circuit makes it suit-
able for applications with small control range.
Switching
Device
Voltage
or
Current
Source
Triac
R
C
SCR
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
01
2
3
4
5
6
Time Constants
Ratio
of
(
Capacitor
Voltage
Supply
Source
Voltage
)
R
8.68
3
×10
0.1
6
×10
--------------------------
86,000
==
R
1.74
3
×10
0.1
6
×10
---------------------------
17,400
==
相关PDF资料
PDF描述
EC103D1 Sensitive SCRs
EC103D Sensitive SCRs
EC103D2 Sensitive SCRs
EC103D3 Sensitive SCRs
EC103M1 PC 8C 8#20 PIN RECP
相关代理商/技术参数
参数描述
EC103D1AP 功能描述:SEN SCR 400V .8A 12A TO92 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> SCR - 单个 系列:- 其它有关文件:X00619 View All Specifications 产品目录绘图:SCR TO-92 Package 标准包装:1 系列:- SCR 型:灵敏栅极 电压 - 断路:600V 电压 - 栅极触发器 (Vgt)(最大):800mV 电压 - 导通状态 (Vtm)(最大):1.35V 电流 - 导通状态 (It (AV))(最大):500mA 电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大):800mA 电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大):200µA 电流 - 维持(Ih):5mA 电流 - 断开状态(最大):1µA 电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm):9A,10A 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 供应商设备封装:TO-92-3 包装:剪切带 (CT) 产品目录页面:1554 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-9067-1
EC103D1RP 功能描述:SCR 400V .8A 12uA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
EC103D1WX 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:1000 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:EC103D1W/SC-73/REEL7// - Tape and Reel 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SCR SENS GATE 400V SC-73 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SCRs 400v Sc-73 Scr Sens Gate
EC103D2 功能描述:SCR 400V .8A 50uA Sensing RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
EC103D275 功能描述:SCR 400V .8A 50uA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube