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参数资料
型号： EC103D175
英文描述： Thyristor Product Catalog
中文描述： 晶闸管产品目录
文件页数： 76/224页
文件大小： 2697K
代理商： EC103D175
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Application Notes
AN1006
2002 Teccor Electronics
AN1006 - 15
http://www.teccor.com
Thyristor Product Catalog
+1 972-580-7777
To continue testing, perform the following procedures.
Procedure 9: VTM(Forward)
To measure the VTM (Forward) parameter:
1. Set Left-Right Terminal Jack Selector to correspond with
the location of the test fixture.
2. Increase Variable Collector Supply Voltage until current
reaches rated IT(peak), which is 1.4 times the IT(RMS) rating of
the sidac.
Note: Model 370 current is limited. Set to 400 mA. Check for
1.1 V MAX.
WARNING: Limit test time to 15 seconds.
3. To measure VTM, follow along horizontal scale to the point
where the trace crosses the IT(peak) value. This horizontal dis-
tance is the VTM value. (Figure AN1006.25)
Figure AN1006.25 VTM (Forward) = 950 mV at IPK = 1.4 A
Procedure 10: VTM(Reverse)
To measure the VTM (Reverse) parameter:
1. Set Polarity to (–).
2. Repeat Procedure 8 to measure VTM(Reverse).
Diacs
Diacs are voltage breakdown switches used to trigger-on triacs
and non-sensitive SCRs in phase control circuits.
Note: Diacs are bi-directional devices and can be connected in
either direction.
To connect the diac:
1. Connect one side of the diac to the Collector Terminal (C).
2. Connect other side of the diac to the Emitter Terminal (E).
To begin testing, perform the following procedures.
Procedure 1: Curve Tracer Setup
To set the curve tracer and begin testing:
1. Set Variable Collector Supply Voltage Range to 75 Max
Peak Volts. (80 V on 370)
2. Set Horizontal knob to sufficient scale to allow viewing of
trace at the required voltage level (10 V to 20 V/DIV depend-
ing on device being tested).
3. Set Vertical knob to 50 A/DIV.
4. Set Polarity to AC.
5. Set Mode to Norm.
6. Set Power Dissipation to 0.5 W. (0.4 W on 370)
7. Set Terminal Selector to Emitter Grounded-Open Base.
Procedure 2: VBO
To measure the VBO parameter:
1. Set Left-Right Terminal Jack Selector to correspond with
the location of the test fixture.
2. Set Variable Collector Supply Voltage to 55 V (65 V for
370) and apply voltage to device under test (D.U.T.), using
Left-Right-Selector Switch. The peak voltage at which cur-
rent begins to flow is the VBO value. (Figure AN1006.26)
Figure AN1006.26 (+)VBO = 35 V; (-)VBO = 36 V; (±)IBO < 15 A;
(-)IBO < 10 A and Cannot Be Read Easily
Procedure 3: IBO
To measure the IBO parameter, at the VBO point, measure the
amount of device current just before the device reaches the
breakover mode. The measured current at this point is the IBO
value.
Note: If IBO is less than 10 A, the current cannot readily be seen
on the curve tracer.
Procedure 4:
VBO(Voltage Breakover Symmetry)
To measure the
VBO (Voltage Breakover Symmetry) parameter:
1. Measure positive and negative values of VBO as shown in
Figure AN1006.26.
2. Subtract the absolute value of VBO(-) from VBO(+).
The absolute value of the result is:
VBO = [ I +VBO I - I -VBO I ]
500
mA
500
mV
PER
V
E
R
T
DIV
PER
H
O
R
I
Z
DIV
PER
S
T
E
P
()k
DIV
9m
PER
DIV
VTM
IPK
50
A
10
V
PER
V
E
R
T
DIV
PER
H
O
R
I
Z
DIV
PER
S
T
E
P
()k
DIV
9m
PER
DIV
+VBO
+IBO
IBO
VBO
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EC103D1RP 功能描述:SCR 400V .8A 12uA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
EC103D1WX 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:1000 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:EC103D1W/SC-73/REEL7// - Tape and Reel 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SCR SENS GATE 400V SC-73 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SCRs 400v Sc-73 Scr Sens Gate
EC103D2 功能描述:SCR 400V .8A 50uA Sensing RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
EC103D275 功能描述:SCR 400V .8A 50uA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
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