参数资料
型号: EC103D175
英文描述: Thyristor Product Catalog
中文描述: 晶闸管产品目录
文件页数: 73/224页
文件大小: 2697K
代理商: EC103D175
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AN1006
Application Notes
http://www.teccor.com
AN1006 - 12
2002 Teccor Electronics
+1 972-580-7777
Thyristor Product Catalog
7. Set Terminal Selector to Emitter Grounded-Open Base.
Procedure 5: VBO (Positive and Negative)
To measure the VBO (Positive and Negative) parameter:
1. Set Left-Right Terminal Jack Selector to correspond with
the location of the test fixture.
2. Set Variable Collector Supply Voltage to 55 V (65 V on
370) and apply voltage to the device under test (D.U.T.)
using the Left Hand Selector Switch. The peak voltage at
which current begins to flow is the VBO value.
(Figure AN1006.19)
Figure AN1006.19 (+)VBO = 35 V; (-)VBO = 36 V; (±)IBO < 10 A
Procedure 6: IBO (Positive and Negative)
To measure the IBO (Positive and Negative) parameter, at the VBO point,
measure the amount of device current just before the device
reaches the breakover point. The measured current at this point
is the IBO value.
Note: If IBO is less than 10 A, the current cannot readily be seen
on curve tracer.
Procedure 7:
VBO (Voltage Breakover Symmetry)
To measure the
VBO (Voltage Breakover Symmetry) parameter:
1. Measure positive and negative VBO values per Procedure 5.
2. Subtract the absolute value of VBO (-) from VBO (+).
The absolute value of the result is:
VBO = [ I+VBO I - I -VBO I ]
Procedure 8: VTM (Forward and Reverse)
To test VTM, the Quadrac must be connected the same as when
testing VBO, IBO, and
VBO.
To connect the Quadrac:
1. Connect MT1 to Emitter Terminal (E).
2. Connect MT2 to Collector Terminal (C).
3. Connect Trigger Terminal to MT2 Terminal through a 10
resistor.
Note the following:
Due to the excessive amount of power that can be generated in
this test, only parts with an IT(RMS) rating of 8 A or less should be
tested on standard curve tracer. If testing devices above 8 A, a
Tektronix model 176 high-current module is required.
A Kelvin test fixture is required for this test. If a Kelvin fixture is
not used, an error in measurement of VTM will result due to volt-
age drop in fixture. If a Kelvin fixture is not available,
Figure AN1006.3 shows necessary information to wire a test
fixture with Kelvin connections.
To measure the VTM (Forward and Reverse) parameter:
1. Set Terminal Selector to Emitter Grounded-Open Base.
2. Set Max Peak Volts to 75 V. (80 V on 370)
3. Set Mode to Norm.
4. Set Horizontal knob to 0.5 V/DIV.
5. Set Power Dissipation to 220 watts (100 watts on a 577).
6. Set Vertical knob to a sufficient setting to allow the viewing
of 1.4 times the IT(RMS) rating of the device IT(peak) on the CRT.
Procedure 9: VTM(Forward)
To measure the VTM (Forward) parameter:
1. Set Polarity to (+).
2. Set Left-Right Terminal Jack Selector to correspond with
the location of the test fixture.
3. Increase Variable Collector Supply Voltage until current
reaches rated IT(peak), which is 1.4 times the IT(RMS) rating of
the triac under test.
Note: Model 370 current is limited to 10 A.
WARNING: Limit test time to 15 seconds maximum.
4. To measure VTM, follow along horizontal scale to the point
where the trace crosses the IT(peak) value. This horizontal dis-
tance is the VTM value. (Figure AN1006.20)
Figure AN1006.20 VTM (Forward) = 1.1 V at IPK = 5.6 A
Procedure 10: VTM(Reverse)
To measure the VTM (Reverse) parameter:
1. Set Polarity to (–).
2. Set Left-Right Terminal Jack Selector to correspond with
the location of the test fixture.
3. Increase Variable Collector Supply Voltage until current
reaches rated IT(peak).
4. Measure VTM(Reverse) the same as in Procedure 8. (Read mea-
surements from upper right corner of screen).
50
A
10
V
PER
V
E
R
T
DIV
PER
H
O
R
I
Z
DIV
PER
S
T
E
P
()k
DIV
9m
PER
DIV
VBO
IBO
+VBO
+IBO
500
mV
PER
V
E
R
T
DIV
PER
H
O
R
I
Z
DIV
PER
S
T
E
P
IPK
VTM
1
A
()k
DIV
9m
PER
DIV
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EC103D1RP 功能描述:SCR 400V .8A 12uA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
EC103D1WX 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:1000 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:EC103D1W/SC-73/REEL7// - Tape and Reel 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SCR SENS GATE 400V SC-73 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SCRs 400v Sc-73 Scr Sens Gate
EC103D2 功能描述:SCR 400V .8A 50uA Sensing RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
EC103D275 功能描述:SCR 400V .8A 50uA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube