参数资料
型号: EC103D175
英文描述: Thyristor Product Catalog
中文描述: 晶闸管产品目录
文件页数: 65/224页
文件大小: 2697K
代理商: EC103D175
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Application Notes
AN1006
2002 Teccor Electronics
AN1006 - 5
http://www.teccor.com
Thyristor Product Catalog
+1 972-580-7777
Figure AN1006.4
VFM = 1 V at IPK = 20 A
SCRs
SCRs are half-wave unidirectional rectifiers turned on when cur-
rent is supplied to the gate terminal. If the current supplied to the
gate is to be in the range of 12 A and 500 A, then a sensitive
SCR is required; if the gate current is between 1 mA and 50 mA,
then a non-sensitive SCR is required.
To connect the rectifier:
1. Connect Anode to Collector Terminal (C).
2. Connect Cathode to Emitter Terminal (E).
Note: When sensitive SCRs are being tested, a 1 k
resistor
must be connected between the gate and the cathode, except
when testing IGT.
To begin testing, perform the following procedures.
Procedure 1: VDRM, VRRM, IDRM, IRRM
To measure the VDRM, VRRM, IDRM, and IRRM parameter:
1. Set Variable Collector Supply Voltage Range to appropri-
ate Max Peak Volts for device under test. (Value selected
should be equal to or greater than the device’s VDRM rating.)
2. Set Horizontal knob to sufficient scale to allow viewing of
trace at the required voltage level. (The 100 V/DIV scale
should be used for testing devices having a VDRM value of
600 V or greater; the 50 V/DIV scale for testing parts rated
from 300 V to 500 V, and so on.)
3. Set Mode to Leakage.
4. Set Polarity to (+).
5. Set Power Dissipation to 0.5 W. (0.4 W on 370)
6. Set Terminal Selector to Emitter Grounded-Open Base.
7. Set Vertical knob to approximately ten times the maximum
leakage current (IDRM, IRRM) specified for the device. (For
sensitive SCRs, set to 50 A.)
Note: The CRT screen readout should show 1% of the maximum
leakage current if the vertical scale is divided by 1,000 when
leakage current mode is used.
Procedure 2: VDRM, IDRM
To measure the VDRM and IDRM parameter:
1. Set Left-Right Terminal Jack Selector to correspond with
location of test fixture.
2. Set Variable Collector Supply Voltage to the rated VDRM of
the device and observe the dot on CRT. Read across hori-
zontally from the dot to the vertical current scale. This mea-
sured value is the leakage current. (Figure AN1006.5)
WARNING: Do NOT exceed VDRM/VRRM rating of SCRs, triacs,
or Quadracs. These devices can be damaged.
Figure AN1006.5
IDRM = 350 nA at VDRM = 600 V
Procedure 3: VRRM, IRRM
To measure the VRRM and IRRM parameter:
1. Set Polarity to (–).
2. Repeat Steps 1 and 2 (VDRM, IDRM) except substitute VRRM
value for VDRM. (Figure AN1006.6)
.
Figure AN1006.6
IRRM = 340 nA at VRRM = 600 V
Procedure 4: VTM
To measure the VTM parameter:
1. Set Terminal Selector to Step Generator-Emitter Grounded.
2. Set Polarity to (+).
3. Set Step/Offset Amplitude to twice the maximum IGT rating
of the device (to ensure the device turns on). For sensitive
SCRs, set to 2mA.
4. Set Max Peak Volts to 15 V. (16 V on 370)
5. Set Offset by depressing 0 (zero).
500
mV
PER
V
E
R
T
DIV
PER
H
O
R
I
Z
DIV
PER
S
T
E
P
IT
VFM
2
A
()k
DIV
9m
PER
DIV
100
nA
100
V
PER
V
E
R
T
DIV
PER
H
O
R
I
Z
DIV
PER
S
T
E
P
VDRM
IDRM
()k
DIV
9m
PER
DIV
100
nA
100
V
PER
V
E
R
T
DIV
PER
H
O
R
I
Z
DIV
PER
S
T
E
P
VRRM
IRRM
()k
DIV
9m
PER
DIV
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EC103D1RP 功能描述:SCR 400V .8A 12uA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
EC103D1WX 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:1000 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:EC103D1W/SC-73/REEL7// - Tape and Reel 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SCR SENS GATE 400V SC-73 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SCRs 400v Sc-73 Scr Sens Gate
EC103D2 功能描述:SCR 400V .8A 50uA Sensing RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
EC103D275 功能描述:SCR 400V .8A 50uA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube