参数资料
型号: EC103D175
英文描述: Thyristor Product Catalog
中文描述: 晶闸管产品目录
文件页数: 34/224页
文件大小: 2697K
代理商: EC103D175
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Application Notes
AN1002
2002 Teccor Electronics
AN1002 - 3
http://www.teccor.com
Thyristor Product Catalog
+1 972-580-7777
Figure AN1002.6
Latching and Holding Characteristics of Thyristor
Similar to gating, latching current requirements for triacs are dif-
ferent for each operating mode (quadrant). Definitions of latching
modes (quadrants) are the same as gating modes. Therefore,
definitions shown in Figure AN1002.2 and Figure AN1002.3 can
be used to describe latching modes (quadrants) as well. The fol-
lowing table shows how different latching modes (quadrants)
relate to each other. As previously stated, Quadrant II has the
lowest latching current sensitivity of all four operating quadrants.
Example of a 4 Amp Triac:
If IL(I) = 10 mA, then
IL(II) = 40 mA
IL(III) = 12 mA
IL(IV) = 11 mA
Latching current has even somewhat greater temperature depen-
dence compared to the DC gate trigger current. Applications with
low temperature requirements should have sufficient principal
current (anode current) available to ensure thyristor latch-on.
Two key test conditions on latching current specifications are
gate drive and available principal (anode) current durations.
Shortening the gate drive duration can result in higher latching
current values.
Holding Current of SCRs and Triacs
Holding current (IH) is the minimum principal current required to
maintain the thyristor in the on state. Holding current can best be
understood by relating it to the “drop-out” or “must release” level
of a mechanical relay. Figure AN1002.6 shows the sequences of
gate, latching, and holding currents. Holding current will always
be less than latching. However, the more sensitive the device,
the closer the holding current value approaches its latching cur-
rent value.
Holding current is independent of gating and latching, but the
device must be fully latched on before a holding current limit can
be determined.
Holding current modes of the thyristor are strictly related to the
voltage polarity across the main terminals. The following table
illustrates how the positive and negative holding current modes
of triacs relate to each other.
Example of a 10 A triac:
If IH(+) = 10 mA, then
IH(-) = 13 mA
Holding current is also temperature-dependent like gating and
latching shown in Figure AN1002.7. The initial on-state current is
200 mA to ensure that the thyristor is fully latched on prior to
holding current measurement. Again, applications with low tem-
perature requirements should have sufficient principal (anode)
current available to maintain the thyristor in the on-state condi-
tion.
Both minimum and maximum holding current specifications may
be important, depending on application. Maximum holding cur-
rent must be considered if the thyristor is to stay in conduction at
low principal (anode) current; the minimum holding current must
be considered if the device is expected to turn off at a low princi-
pal (anode) current.
Figure AN1002.7
Typical DC Holding Current vs Case Temperatures
Example of a 10 A triac:
If IH(+) = 10 mA at 25 °C, then
IH(+)
≈ 7.5 mA at 65 °C
Relationship of Gating, Latching, and
Holding Currents
Although gating, latching, and holding currents are independent
of each other in some ways, the parameter values are related. If
gating is very sensitive, latching and holding will also be very
sensitive and vice versa. One way to obtain a sensitive gate and
not-so-sensitive latching-holding characteristic is to have an
“amplified gate” as shown in Figure AN1002.8.
Typical Ratio of
at 25 °C
Type
Operating Mode
Quadrant I
Quadrant II
Quadrant III Quadrant IV
4A Triac
1
4
1.2
1.1
10 A Triac
14
1.1
1
Time
Holding Current Point
Zero Crossing Point
Principal
Current
Through
Thyristor
Gate Pulse
Gate
Drive
to Thyristor
Latching
Current
Point
IL In given Quadrant
()
IL Quadrant 1
()
------------------------------------------------------------------------
Typical Triac Holding Current Ratio
Type
Operating Mode
IH(+)
IH(-)
4 A Triac
1
1.1
10 A Triac
11.3
2.0
1.5
1.0
.5
0
-40
-15
+25
+65
+100
Case Temperature (T
C) – C
Ratio
of
I H
(T
C
=
25
C)
INITIAL ON-STATE CURRENT = 200 mA dc
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EC103D1RP 功能描述:SCR 400V .8A 12uA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
EC103D1WX 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:1000 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:EC103D1W/SC-73/REEL7// - Tape and Reel 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SCR SENS GATE 400V SC-73 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SCRs 400v Sc-73 Scr Sens Gate
EC103D2 功能描述:SCR 400V .8A 50uA Sensing RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
EC103D275 功能描述:SCR 400V .8A 50uA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube