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参数资料
| 型号： | K4T56163QI-ZLD50 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 0.5 ns, PBGA84 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
| 文件页数： | 18/42页 |
| 文件大小： | 727K |
| 代理商： | K4T56163QI-ZLD50 |
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Rev. 1.0 October 2007
DDR2 SDRAM
K4T56163QI
25 of 42
VSS
Setup Slew Rate
Rising Signal
Falling Signal
TF
TR
tangent line[VREF(dc) - Vil(ac)max]
TF
=
tangent line[Vih(ac)min - VREF(dc)]
TR
=
VDDQ
VIH(ac) min
VIH(dc) min
VREF(dc)
VIL(dc) max
VIL(ac) max
tangent
VREF to ac
region
VREF to ac
region
line
nominal
line
nominal
line
tDS
tDH
tDS
tDH
DQS
Figure 7 - IIIustration of tangent line for tDS (differential DQS, DQS)
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PDF描述 |
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