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参数资料
| 型号： | K4T56163QI-ZLD50 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 0.5 ns, PBGA84 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
| 文件页数： | 8/42页 |
| 文件大小： | 727K |
| 代理商： | K4T56163QI-ZLD50 |
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Rev. 1.0 October 2007
DDR2 SDRAM
K4T56163QI
16 of 42
Speed
DDR2-800(E7)
DDR2-800(F7)
DDR2-667(E6)
DDR2-533(D5)
DDR2-400(CC)
Units
Bin (CL - tRCD - tRP)
5-5-5
6-6-6
5 - 5 - 5
4 - 4 - 4
3 - 3 - 3
Parameter
min
max
min
max
min
max
min
max
min
max
tCK, CL=3
5
8
-
5
8
5
8
5
8
ns
tCK, CL=4
3.75
8
3.75
8
3.75
8
3.75
8
5
8
ns
tCK, CL=5
2.5
8
3
8
3
8
3.75
8
-
ns
tCK, CL=6
-
2.5
8
-
ns
tRCD
12.5
-
15
-
15
-
15
-
15
-
ns
tRP
12.5
-
15
-
15
-
15
-
15
-
ns
tRC
57.5
-
60
-
60
-
60
-
55
-
ns
tRAS
45
70000
45
70000
45
70000
45
70000
40
70000
ns
Parameter
Symbol
DDR2-400
DDR2-533
DDR2-667
DDR2-800
Units
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Input capacitance, CK and CK
CCK
1.0
2.0
1.0
2.0
1.0
2.0
pF
Input capacitance delta, CK and CK
CDCK
x
0.25
x
0.25
x
0.25
pF
Input capacitance, all other input-only pins
CI
1.0
2.0
1.0
2.0
1.0
1.75
pF
Input capacitance delta, all other input-only pins
CDI
x
0.25
x
0.25
x
0.25
pF
Input/output capacitance, DQ, DM, DQS, DQS
CIO
2.5
4.0
2.5
3.5
2.5
3.5
pF
Input/output capacitance delta, DQ, DM, DQS, DQS
CDIO
x
0.5
x
0.5
x
0.5
pF
13.0 Electrical Characteristics & AC Timing for DDR2-800/667/533/400
(0
°C < TOPER < 95 °C; VDDQ = 1.8V + 0.1V; VDD = 1.8V + 0.1V)
13.1 Refresh Parameters by Device Density
Parameter
Symbol
256Mb
512Mb
1Gb
2Gb
4Gb
Units
Refresh to active/Refresh command time
tRFC
75
105
127.5
195
327.5
ns
Average periodic refresh interval
tREFI
0
°C ≤ TCASE ≤ 85°C
7.8
s
85
°C < TCASE ≤ 95°C
3.9
s
13.2 Speed Bins and CL, tRCD, tRP, tRC and tRAS for Corresponding Bin
12.0 Input/Output capacitance
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