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参数资料
| 型号： | K4T56163QI-ZLD50 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 0.5 ns, PBGA84 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
| 文件页数： | 24/42页 |
| 文件大小： | 727K |
| 代理商： | K4T56163QI-ZLD50 |
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Rev. 1.0 October 2007
DDR2 SDRAM
K4T56163QI
30 of 42
VSS
Hold Slew Rate
TF
TR
tangent line [ Vih(dc)min - VREF(dc) ]
TF
=
VDDQ
VIH(ac) min
VIH(dc) min
VREF(dc)
VIL(dc) max
VIL(ac) max
tangent
dc to VREF
region
dc to VREF
region
line
nominal
line
nominal
line
Falling Signal
Hold Slew Rate
tangent line [ VREF(dc) - Vil(dc)max ]
TR
=
Rising Signal
Figure 12 - IIIustration of tangent line for tDH (single-ended DQS)
Note : DQS signal must be monotonic between Vil(dc)max and Vih(dc)min.
tDS
tDH
DQS
VDDQ
VIH(ac) min
VIH(dc) min
VREF(dc)
VIL(dc) max
VIL(ac) max
VSS
tDH
tDS
Note1
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