- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录224103 > K4T56163QI-ZLD50 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 0.5 ns, PBGA84 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | K4T56163QI-ZLD50 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 0.5 ns, PBGA84 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
| 文件页数： | 27/42页 |
| 文件大小： | 727K |
| 代理商： | K4T56163QI-ZLD50 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页当前第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页
Rev. 1.0 October 2007
DDR2 SDRAM
K4T56163QI
33 of 42
VSS
Setup Slew Rate
Rising Signal
Falling Signal
TF
TR
VREF(dc) - Vil(ac)max
TF
=
Vih(ac)min - VREF(dc)
TR
=
VDDQ
VIH(ac) min
VIH(dc) min
VREF(dc)
VIL(dc) max
VIL(ac) max
nominal slew
rate
nominal
slew rate
VREF to ac
region
VREF to ac
region
Figure 13 - IIIustration of nominal slew rate for tIS
CK
tIS
tIH
tIS
tIH
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K5A3240YT | Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
| K6R1004C1C | 256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
| K6R1004C1C-I | 256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
| K6R1004C1C-I10 | 256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
| K6R1004C1C-I12 | 256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| K4T56163QN | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:Consumer Memory |
| K4T56163QN-HCE6000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 256M-Bit 16Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray |
| K4T56163QN-HCE6T00 | 制造商:Samsung SDI 功能描述: |
| K4T56163QN-ZCE6T00 | 制造商:Samsung 功能描述:256 SDRAM X16 - Tape and Reel |
| K4T56163QN-ZCE7000 | 制造商:Samsung 功能描述:DDR2 SDRAM 32MX16 47H32M16 PBF FBGA 1.8V PLASTIC 512M - Trays |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。