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参数资料
| 型号： | MT45W1MW16BDGB-708 AT |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 11/59页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PSRAM 16MBIT 104MHZ 54VFBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | PSRAM（页） |
| 存储容量： | 16M (1M x 16) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 封装/外壳： | 54-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 54-VFBGA（6x8） |
| 包装： | 托盘 |
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16Mb: 1 Meg x 16 Async/Page/Burst CellularRAM 1.0 Memory
Bus Operating Modes
Figure 5:
READ Operation (ADV = LOW)
C E#
OE#
WE#
ADDRE SS
DATA
ADDRE SS VALID
DATA VALID
LB#/UB#
tR C = READ C y c le Time
Note:
ADV must remain LOW for page mode operation.
Figure 6:
WRITE Operation (ADV = LOW)
C E#
OE#
WE#
< t C EM
ADDRE SS
DATA
ADDRE SS VALID
DATA VALID
LB#/UB#
tW C = WRITE C y c le Time
DON’T C ARE
Page Mode READ Operation
Page mode is a performance-enhancing extension to the legacy asynchronous READ
operation. In page-mode-capable products, an initial asynchronous read access is
performed, then adjacent addresses can be read quickly by simply changing the low-
order address. Addresses A[3:0] are used to determine the members of the 16-address
CellularRAM page. Any change in addresses A[4] or higher will initiate a new t AA access
time. Figure 7 shows the timing for a page mode access. Page mode takes advantage of
the fact that adjacent addresses can be read in a shorter period of time than random
addresses. WRITE operations do not include comparable page mode functionality.
During asynchronous page mode operation, the CLK input must be held static LOW or
HIGH. CE# must be driven HIGH upon completion of a page mode access. WAIT will be
driven while the device is enabled and its state should be ignored. Page mode is enabled
by setting RCR[7] to HIGH. ADV must be driven LOW during all page mode read
accesses.
PDF: 09005aef81cb58ed/Source: 09005aef81c7a667
16mb_burst_cr1_0_p23z_2.fm - Rev. H 4/08 EN
11
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PDF描述 |
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