- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录345 > MT45W1MW16BDGB-708 AT (Micron Technology Inc)IC PSRAM 16MBIT 104MHZ 54VFBGA Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MT45W1MW16BDGB-708 AT |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 30/59页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PSRAM 16MBIT 104MHZ 54VFBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | PSRAM（页） |
| 存储容量： | 16M (1M x 16) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 封装/外壳： | 54-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 54-VFBGA（6x8） |
| 包装： | 托盘 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页当前第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页
16Mb: 1 Meg x 16 Async/Page/Burst CellularRAM 1.0 Memory
Electrical Characteristics
Table 8:
Electrical Characteristics and Operating Conditions
Wireless temperature 1 (–30oC < T C < +85oC); Industrial temperature (–40oC < T C < +85oC)
Description
Supply voltage
I/O supply voltage
Input high voltage
Input low voltage
Conditions
V CC
V CC Q
V IH
V IL
Symbol
Min
1.7
1.7
1.4
–0.2
Max
1.95
3.6
V CC Q + 0.2
0.4
Units
V
V
V
V
Notes
1
2, 3
4
Output high voltage
Output low voltage
Input leakage current
Output leakage current
I OH = –0.2mA
I OL = +0.2mA
V IN = 0 to V CC Q
OE# = V IH or
V OH
V OL
I LI
I LO
0.8 V CC Q
0.2 V CC Q
1
1
V
V
μA
μA
5
5
Chip disabled
Operating Current
Asynchronous random READ/
V IN = V CC Q or 0V
I CC 1
–70
20
mA
6
WRITE
Chip enabled,
Asynchronous page READ
Initial access, burst READ/WRITE
I OUT = 0
I CC 1P
I CC 2
–70
104 MHz
15
35
mA
mA
6
6
80 MHz
30
Continuous burst READ
I CC 3R
104 MHz
28
mA
6
80 MHz
22
Continuous burst WRITE
I CC 3W
104 MHz
33
mA
6
80 MHz
25
Standby current
V IN = V CC Q or 0V
I SB
Standard
70
μA
7
CE# = V CC Q
Notes:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
–30°C and 3.6V I/O exceed the CellularRAM Workgroup 1.0 specifications.
Input signals may overshoot to V CC Q + 1.0V for periods less than 2ns during transitions.
V IH (MIN) value is not aligned with CellularRAM work group 1.0 specification of V CC Q - 0.4V.
Input signals may undershoot to V SS - 1.0V for periods less than 2ns during transitions.
BCR[5] = 0b.
This parameter is specified with the outputs disabled to avoid external loading effects. The
user must add the current required to drive output capacitance expected in the actual sys-
tem.
7. I SB (MAX) values measured with PAR set to FULL ARRAY and TCR set to +85°C. In order to
achieve low standby current, all inputs must be driven to either V CC Q or V SS . I SB might be
slightly higher for up to 500ms after power-up, after changes to the PAR array partition, or
when entering standby mode.
PDF: 09005aef81cb58ed/Source: 09005aef81c7a667
16mb_burst_cr1_0_p23z_2.fm - Rev. H 4/08 EN
30
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
?2005 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48H32M16LFB4-75B IT:C | IC SDRAM 512MB 54VFBGA |
| MT48H8M16LFB4-75 IT:K TR | IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54VFBGA |
| MTC100-JA2-P34 | CONTACT INSERT PIN |
| MX841BE | IC CONVERTER WHITE LED 8-SOIC |
| MXHV9910BTR | IC LED DRIVER HIGH BRIGHT 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT45W1MW16BP23ZWC2 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:1MX16 PSRAM DIE-COM 1.8V BURST PSEUDO STATIC 1.8V I/O - Bulk |
| MT45W1MW16PABA-70 WT | 功能描述:IC PSRAM 16MBIT 70NS 48VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:托盘 其它名称:Q2841869 |
| MT45W1MW16PABA-70 WT TR | 功能描述:IC PSRAM 16MBIT 70NS 48VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA（7x7） 包装:托盘 |
| MT45W1MW16PAFA-70 WT | 功能描述:IC PSRAM 16MBIT 70NS 48VFBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:托盘 其它名称:Q2841869 |
| MT45W1MW16PAFA-70 WT TR | 功能描述:IC PSRAM 16MBIT 70NS 48VFBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA（7x7） 包装:托盘 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。