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参数资料
| 型号： | MT45W1MW16BDGB-708 AT |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 17/59页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PSRAM 16MBIT 104MHZ 54VFBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | PSRAM（页） |
| 存储容量： | 16M (1M x 16) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 封装/外壳： | 54-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 54-VFBGA（6x8） |
| 包装： | 托盘 |
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16Mb: 1 Meg x 16 Async/Page/Burst CellularRAM 1.0 Memory
Bus Operating Modes
Figure 12:
Refresh Collision During WRITE Operation
C LK
V IH
V IL
A[19:0]
ADV#
C E#
OE#
WE#
LB#/UB#
WAIT
V IH
V IL
V IH
V IL
V IH
V IL
V IH
V IL
V IH
V IL
V IH
V IL
V OH
V OL
VALID
ADDRE SS
High- Z
DQ[15:0]
V OH
V OL
D[0]
D[1]
D[2]
D[3]
A dd itional WAIT states inserte d to allow refresh c ompletion.
DON’T C ARE
Note:
Non-default BCR settings: Latency code two (three clocks); WAIT active LOW; WAIT
asserted during delay.
PDF: 09005aef81cb58ed/Source: 09005aef81c7a667
16mb_burst_cr1_0_p23z_2.fm - Rev. H 4/08 EN
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