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参数资料
| 型号： | MT45W1MW16BDGB-708 AT |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 6/59页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PSRAM 16MBIT 104MHZ 54VFBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | PSRAM（页） |
| 存储容量： | 16M (1M x 16) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 封装/外壳： | 54-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 54-VFBGA（6x8） |
| 包装： | 托盘 |
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16Mb: 1 Meg x 16 Async/Page/Burst CellularRAM 1.0 Memory
Functional Block Diagrams
Functional Block Diagrams
Figure 2:
Functional Block Diagram – 1 Meg x 16
A[19:0]
Address Decode
Logic
1,024K x 16
DRAM
Input/
Output
DQ[7:0]
MEMORY
MUX
CE#
WE#
OE#
CLK
ADV#
CRE
WAIT
LB#
UB#
Control
Logic
Refresh Configuration
Register (RCR)
Bus Configuration
Register (BCR)
ARRAY
and
Buffers
DQ[15:8]
Note:
Functional block diagrams illustrate simplified device operation. See truth table, ball
descriptions, and timing diagrams for detailed information.
PDF: 09005aef81cb58ed/Source: 09005aef81c7a667
16mb_burst_cr1_0_p23z_2.fm - Rev. H 4/08 EN
6
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