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参数资料
| 型号： | MT45W1MW16BDGB-708 AT |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 20/59页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PSRAM 16MBIT 104MHZ 54VFBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | PSRAM（页） |
| 存储容量： | 16M (1M x 16) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 封装/外壳： | 54-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 54-VFBGA（6x8） |
| 包装： | 托盘 |
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16Mb: 1 Meg x 16 Async/Page/Burst CellularRAM 1.0 Memory
Configuration Registers
Figure 14:
Configuration Register WRITE in Synchronous Mode Followed by READ ARRAY
Operation
C LK
Lat c h C ontrol Re g ister Value
A[18:0]
OP C ODE
tHD
ADDRE SS
A19 2
C RE
ADV#
t S P
t S P
t S P
tHD
Lat c h C ontrol Re g ister A dd ress
ADDRE SS
t CS P
tHD
t C BPH 3
C E#
OE#
t S P
WE#
tHD
LB#/UB#
t C EW
WAIT
DQ[15:0]
Hi g h-Z
Hi g h-Z
DATA
VALID
DON’T C ARE
Notes:
1. Non-default BCR settings for CR WRITE in synchronous mode followed by READ ARRAY
operation: Latency code two (three clocks); WAIT active LOW; WAIT asserted during delay.
2. A[19] = LOW to load RCR; A[19] = HIGH to load BCR.
3. CE# must remain LOW to complete a burst-of-one WRITE. WAIT must be monitored—addi-
tional WAIT cycles caused by refresh collisions require a corresponding number of addi-
tional CE# LOW cycles.
PDF: 09005aef81cb58ed/Source: 09005aef81c7a667
16mb_burst_cr1_0_p23z_2.fm - Rev. H 4/08 EN
20
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