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参数资料
型号： MT45W1MW16BDGB-708 AT
厂商： Micron Technology Inc
文件页数： 24/59页
文件大小： 0K
描述： IC PSRAM 16MBIT 104MHZ 54VFBGA
标准包装： 1,000
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： PSRAM（页）
存储容量： 16M (1M x 16)
速度： 70ns
接口： 并联
电源电压： 1.7 V ~ 1.95 V
工作温度： -40°C ~ 105°C
封装/外壳： 54-VFBGA
供应商设备封装： 54-VFBGA（6x8）
包装： 托盘
16Mb: 1 Meg x 16 Async/Page/Burst CellularRAM 1.0 Memory
Configuration Registers
Table 4:
Sequence and Burst Length
4-Word
Starting
Burst
8-Word
Burst Wrap
Address
Length
Burst Length
16-Word Burst length
Continuous Burst
BCR[3] Wrap (Decimal)
0
1
2
3
4
Linear
0-1-2-3
1-2-3-0
2-3-0-1
3-0-1-2
Linear
0-1-2-3-4-5-6-7
1-2-3-4-5-6-7-0
2-3-4-5-6-7-0-1
3-4-5-6-7-0-1-2
4-5-6-7-0-1-2-3
Linear
0-1-2-3-4-5-6-7-8-9-10-11-12-13-14-15
1-2-3-4-5-6-7-8-9-10-11-12-13-14-15-0
2-3-4-5-6-7-8-9-10-11-12-13-14-15-0-1
3-4-5-6-7-8-9-10-11-12-13-14-15-0-1-2
4-5-6-7-8-9-10-11-12-13-14-15-0-1-2-3
Linear
0-1-2-3-4-5-6-…
1-2-3-4-5-6-7-…
2-3-4-5-6-7-8-…
3-4-5-6-7-8-9-…
4-5-6-7-8-9-10-…
0
Yes
5
6
7
5-6-7-0-1-2-3-4
6-7-0-1-2-3-4-5
7-0-1-2-3-4-5-6
5-6-7-8-9-10-11-12-13-14-15-0-1-2-3-4
6-7-8-9-10-11-12-13-14-15-0-1-2-3-4-5
7-8-9-10-11-12-13-14-15-0-1-2-3-4-5-6
5-6-7-8-9-10-11-…
6-7-8-9-10-11-12-
7-8-9-10-11-12-13-…
...
14
...
14-15-0-1-2-3-4-5-6-7-8-9-10-11-12-13
...
14-15-16-17-18-19-20-
...
15
15-0-1-2-3-4-5-6-7-8-9-10-11-12-13-14 15-16-17-18-19-20-
21...
0
1
2
0-1-2-3
1-2-3-4
2-3-4-5
0-1-2-3-4-5-6-7
1-2-3-4-5-6-7-8
2-3-4-5-6-7-8-9
0-1-2-3-4-5-6-7-8-9-10-11-12-13-14-15
1-2-3-4-5-6-7-8-9-10-11-12-13-14-15-16
2-3-4-5-6-7-8-9-10-11-12-13-14-15-16-
0-1-2-3-4-5-6-…
1-2-3-4-5-6-7-…
2-3-4-5-6-7-8-…
17
3
3-4-5-6
3-4-5-6-7-8-9-10
3-4-5-6-7-8-9-10-11-12-13-14-15-16-17-
3-4-5-6-7-8-9-…
1
No
4
4-5-6-7-8-9-10-11
18
4-5-6-7-8-9-10-11-12-13-14-15-16-17-
4-5-6-7-8-9-10-…
18-19
5
5-6-7-8-9-10-11-12
5-6-7-8-9-10-11-12-13-...-15-16-17-18-
5-6-7-8-9-10-11…
19-20
6
7
6-7-8-9-10-11-12-
13
7-8-9-10-11-12-13-
6-7-8-9-10-11-12-13-14-...-16-17-18-19-
20-21
7-8-9-10-11-12-13-14-...-17-18-19-20-
6-7-8-9-10-11-12…
7-8-9-10-11-12-13…
...
14
21-22
... ...
14
15
14-15-16-17-18-19-...-23-24-25-26-27-
28-29
15-16-17-18-19-20-...-24-25-26-27-28-
29-30
14-15-16-17-18-19-20-
…
15-16-17-18-19-20-21-
…
Burst Length (BCR[2:0]) Default = Continuous Burst
Burst lengths define the number of words the device outputs during a burst READ oper-
ation. The device supports a burst length of 4, 8, or 16 words. The device can also be set
in continuous burst mode where data is output sequentially without regard to address
boundaries; the internal address wraps to 000000h if the device is read past the last
address. WRITE bursts are always performed using continuous burst mode.
Burst Wrap (BCR[3]) Default = Burst No Wrap (Within Burst Length)
The burst wrap option determines if a 4-, 8-, or 16-word burst READ wraps within the
burst length or steps through sequential addresses. If the wrap option is not enabled, the
device outputs data from sequential addresses without regard to burst boundaries; the
internal address wraps to 000000h if the device is read past the last address.
PDF: 09005aef81cb58ed/Source: 09005aef81c7a667
16mb_burst_cr1_0_p23z_2.fm - Rev. H 4/08 EN
24
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
?2005 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
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PDF描述
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MT45W1MW16PAFA-70 WT TR 功能描述:IC PSRAM 16MBIT 70NS 48VFBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA（7x7） 包装:托盘
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