- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录345 > MT45W1MW16BDGB-708 AT (Micron Technology Inc)IC PSRAM 16MBIT 104MHZ 54VFBGA Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MT45W1MW16BDGB-708 AT |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 58/59页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PSRAM 16MBIT 104MHZ 54VFBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | PSRAM（页） |
| 存储容量： | 16M (1M x 16) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 封装/外壳： | 54-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 54-VFBGA（6x8） |
| 包装： | 托盘 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页当前第58页第59页
16Mb: 1 Meg x 16 Async/Page/Burst CellularRAM 1.0 Memory
Revision History
Revision History
Rev. H, Production . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .04/08
? Updated the MAX I/O voltage from 3.3V to 3.6V.
? Updated Figure 15 on page 21 and Figure 16 on page 22 to include the 0ns MIN spec.
? Changed t PU in Table 16 on page 36 from a MIN to a MAX value.
? Updated Figure 42 on page 52 to include the correct drawing.
Rev. G, Production . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11/07
? Table 15, “Burst WRITE Cycle Timing Requirements,” on page 36: Corrected t CEM
parameter label from minimum to maximum.
Rev. F, Production . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11/06
? Updated Rev. letter to F
Rev. F, Production . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .06/06
? Changed the title of Figure 10 to “Wired-OR Wait Configuration”
? Updated wording in the third paragraph of “WAIT Operation” on page 15 to the
following: “During a Burst cycle, CE# must remain asserted until the first data is valid.
Bringing CE# HIGH during this initial latency may cause data corruption.”
? Changed WAIT from “ t CW” to “ t CEW” in Figure 14
? Changed Min/Max columns from “-701” and “-708,” to “104 MHz” and “80 MHz” in
Table 5
? Changed “Output enable to Low-Z output” MIN value from 5 to 3 in Table 12
? Changed Min/Max columns from “-70” to “70ns” in Table 12
? Removed “CLK to DQ High-Z Output” and “CLK to Low-Z Output” rows from Table 13
? Changed “Output enable to Low-Z output” MIN value from 5 to 3 in Table 13
? Changed Min/Max columns from “-701” and “-708,” to “104 MHz” and “80 MHz” in
Table 13
? Changed Min/Max columns from “-70” to “70ns” in Table 14
? Changed Min/Max columns from “-701” and “-708,” to “104 MHz” and “80 MHz” in
Table 15
? Changed Min/Max columns from “-70” to “70ns” in Table 16
? Removed t WHZ lines and arrows in Figure 42
? Removed t WHZ lines and arrows in Figure 45
? Removed t WHZ lines and arrows in Figure 46
Rev. E, Production. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .02/06
? Changed document status to Production.
Rev. D, Preliminary. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .01/06
? Changed V IH and V IL to V OH and V OL in Figure 27, 28, 29, 34, 35, 36, 37
? Updated Continuous burst READ and Standby specifications in “Features” section
? Updated document designator to Preliminary
? Deleted Tables 17–43.
Rev. C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12/05
? Deleted “4-Word Burst READ Operation (with LB#/UB#)” timing diagram
? Changed file name to new standard: p23z16_b_cr1-0 to 16mb_burst_cr1_0_p23z
Rev. B . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10/05
? Fixed exceptions to template (primarily minor formatting on page 1)
PDF: 09005aef81cb58ed/Source: 09005aef81c7a667
16mb_burst_cr1_0_p23z_2.fm - Rev. H 4/08 EN
58
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
?2005 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48H32M16LFB4-75B IT:C | IC SDRAM 512MB 54VFBGA |
| MT48H8M16LFB4-75 IT:K TR | IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54VFBGA |
| MTC100-JA2-P34 | CONTACT INSERT PIN |
| MX841BE | IC CONVERTER WHITE LED 8-SOIC |
| MXHV9910BTR | IC LED DRIVER HIGH BRIGHT 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT45W1MW16BP23ZWC2 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:1MX16 PSRAM DIE-COM 1.8V BURST PSEUDO STATIC 1.8V I/O - Bulk |
| MT45W1MW16PABA-70 WT | 功能描述:IC PSRAM 16MBIT 70NS 48VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:托盘 其它名称:Q2841869 |
| MT45W1MW16PABA-70 WT TR | 功能描述:IC PSRAM 16MBIT 70NS 48VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA（7x7） 包装:托盘 |
| MT45W1MW16PAFA-70 WT | 功能描述:IC PSRAM 16MBIT 70NS 48VFBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:托盘 其它名称:Q2841869 |
| MT45W1MW16PAFA-70 WT TR | 功能描述:IC PSRAM 16MBIT 70NS 48VFBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA（7x7） 包装:托盘 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。