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参数资料
| 型号： | MT45W1MW16BDGB-708 AT |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 31/59页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PSRAM 16MBIT 104MHZ 54VFBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | PSRAM（页） |
| 存储容量： | 16M (1M x 16) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 封装/外壳： | 54-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 54-VFBGA（6x8） |
| 包装： | 托盘 |
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16Mb: 1 Meg x 16 Async/Page/Burst CellularRAM 1.0 Memory
Electrical Characteristics
Maximum and Typical Standby Currents
The following table and figure refer to the maximum and typical standby currents for the
MT45W1MW16BDGB device. The typical values shown in Figure 23 are measured with
the default on-chip temperature sensor control enabled. The maximum values shown in
Table 9 are measured with the relevant TCR bits set in the configuration register.
Table 9:
Maximum Standby Currents for Applying PAR and TCR Settings
TCR
PAR
Full array
1/2 array
1/4 array
1/8 array
0 array
+15°C (RCR[6:5] = 10b)
45
40
37
37
35
+45°C (RCR[6:5] = 01b)
60
55
50
50
45
+85°C (RCR[6:5] = 11b)
70
65
60
60
55
Units
μA
μA
μA
μA
μA
Notes:
1. For RCR[6:5] = 00b (default) refer to Figure 23, Typical Refresh Current vs. Temperature
(I TCR ) for typical values.
2. In order to achieve low standby current, all inputs must be driven to V CC Q or V SS . I SB might
be slightly higher for up to 500ms after power-up, after changes to the PAR array portion,
or when entering standby mode.
3. TCR values for 85°C are 100 percent tested. TCR values for 15°C and 45°C are sampled only.
4. Typical I SB currents for each PAR setting with the appropriate TCR selected, or temperature
sensor enabled.
Figure 23:
50
45
40
35
30
25
Typical Refresh Current vs. Temperature (I TCR )
PAR FULL
PAR 1/2
PAR 1/4
PAR 0
20
15
10
5
0
Temperature (° C )
Note:
Typical I SB currents for each PAR setting with the appropriate TCR selected, or temperature
sensor enabled.
PDF: 09005aef81cb58ed/Source: 09005aef81c7a667
16mb_burst_cr1_0_p23z_2.fm - Rev. H 4/08 EN
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