- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录345 > MT45W1MW16BDGB-708 AT (Micron Technology Inc)IC PSRAM 16MBIT 104MHZ 54VFBGA Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MT45W1MW16BDGB-708 AT |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 26/59页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PSRAM 16MBIT 104MHZ 54VFBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | PSRAM（页） |
| 存储容量： | 16M (1M x 16) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 封装/外壳： | 54-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 54-VFBGA（6x8） |
| 包装： | 托盘 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页当前第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页
16Mb: 1 Meg x 16 Async/Page/Burst CellularRAM 1.0 Memory
Configuration Registers
Figure 20:
WAIT Configuration During Burst Operation
C LK
B C R[8] = 0
WAIT
WAIT
Data vali d in c urrent c y c le.
B C R[8] = 1
Data vali d in next c y c le.
DQ[15:0]
D[0]
D[1]
D[2]
D[3]
D[4]
DON’T C ARE
Note:
Non-default BCR setting for WAIT during BURST operation: WAIT active LOW.
Latency Counter (BCR[13:11]) Default = Three-Clock Latency
The latency counter bits determine how many clocks occur between the beginning of a
READ or WRITE operation and the first data value transferred. Only latency code two
(three clocks) or latency code three (four clocks) is allowed (see Table 5 and Figure 21).
Operating Mode (BCR[15]) Default = Asynchronous Operation
The operating mode bit selects either synchronous BURST operation or the default
asynchronous mode of operation.
Table 5:
Latency Configuration
Max Input CLK Frequency (MHz)
Latency Configuration Code
2 (3 clocks)
3 (4 clocks) – default
Figure 21:
Latency Counter
V IH
C LK
V IL
104 MHz
66 (15ns)
104 (9.62ns)
80 MHz
53 (18.75ns)
80 (12.50ns)
A[19:0]
ADV#
V IH
V IL
V IH
V IL
VALID
ADDRE SS
C o d e 2
DQ[15:0]
V OH
V OL
VALID
OUTPUT
VALID
OUTPUT
VALID
OUTPUT
VALID
OUTPUT
VALID
OUTPUT
C o d e 3
(Default)
DQ[15:0]
V OH
V OL
VALID
OUTPUT
VALID
OUTPUT
VALID
OUTPUT
VALID
OUTPUT
DON’T C ARE
UNDEFINED
PDF: 09005aef81cb58ed/Source: 09005aef81c7a667
16mb_burst_cr1_0_p23z_2.fm - Rev. H 4/08 EN
26
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
?2005 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48H32M16LFB4-75B IT:C | IC SDRAM 512MB 54VFBGA |
| MT48H8M16LFB4-75 IT:K TR | IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54VFBGA |
| MTC100-JA2-P34 | CONTACT INSERT PIN |
| MX841BE | IC CONVERTER WHITE LED 8-SOIC |
| MXHV9910BTR | IC LED DRIVER HIGH BRIGHT 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT45W1MW16BP23ZWC2 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:1MX16 PSRAM DIE-COM 1.8V BURST PSEUDO STATIC 1.8V I/O - Bulk |
| MT45W1MW16PABA-70 WT | 功能描述:IC PSRAM 16MBIT 70NS 48VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:托盘 其它名称:Q2841869 |
| MT45W1MW16PABA-70 WT TR | 功能描述:IC PSRAM 16MBIT 70NS 48VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA（7x7） 包装:托盘 |
| MT45W1MW16PAFA-70 WT | 功能描述:IC PSRAM 16MBIT 70NS 48VFBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:托盘 其它名称:Q2841869 |
| MT45W1MW16PAFA-70 WT TR | 功能描述:IC PSRAM 16MBIT 70NS 48VFBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA（7x7） 包装:托盘 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。